[發明專利]一種PIN二極管的電極的制造方法

有效

• 申請號: 201310064547.3
• 申請日: 2013-02-28
• 公開（公告）號: CN103236436A
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發明（設計）人: 童小春
• 申請（專利權）人: 溧陽市宏達電機有限公司
• 主分類號: H01L29/41
• 分類號: H01L29/41;H01L29/868;H01L29/36
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 黃明哲

1.一種PIN二極管的電極結構，其特征在于：

所述電極包括P電極和N電極，其中P電極形成在所述PIN二極管管芯的上方，所述N電極形成在所述PIN二極管的管芯下方；所述P電極和N電極由絕緣層隔離。

2.如權利要求1所述的PIN二極管，其特征在于：

所述PIN二極管的管芯由P+摻雜層、P-摻雜層、本征層I、N-摻雜層和N+摻雜層構成；N+摻雜層由基底部分和鰭型突出部分構成，呈倒T型結構；N-摻雜層包括第一部分和第二部分，所述第一部分在N+摻雜層的基底部分的表面上形成，所述第二部分在所述N+摻雜層的鰭型突出部分的表面上方形成；絕緣層，其在N-摻雜層的第一部分上方形成；本征半導體層，其在絕緣層和N-摻雜層的上方形成，以包圍所述N-摻雜層；P-摻雜層，其在絕緣層和本征半導體層的上方形成，以包圍所述本征半導體層；P+摻雜層，其在絕緣層和P-摻雜層的上方形成，以包圍所述P-摻雜層；P+摻雜層、P-摻雜層以及本征半導體層通過絕緣層與N-摻雜層的第一部分隔離。

3.如權利要求1或2所述的PIN二極管，其特征在于：

N+摻雜層的摻雜濃度大約為1×10¹⁹cm^-3至1×10²¹cm^-3之間；N-摻雜層的摻雜濃度大約為5×10¹⁵cm^-3至5×10¹⁶cm^-3之間；P-摻雜層的摻雜濃度大約為：1×10¹⁵cm^-3至1×10¹⁶cm^-3之間；P+摻雜層的摻雜濃度大約為：5×10¹⁸cm^-3至1×10²⁰cm^-3之間。

4.如權利要求1-3任意之一所述的PIN二極管，其特征在于：

所述N+摻雜層、N-摻雜層、本征半導體層、P-摻雜層以及P+摻雜層由相同的半導體材料構成，例如硅或鍺。