[發明專利]用于產生半導體組件的方法

有效

• 申請號: 201310063584.2
• 申請日: 2013-02-28
• 公開（公告）號: CN103286438A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: C.阿倫斯;A.科勒;G.萊克納;A.莫德;M.施內岡斯;H-J.舒爾策
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: B23K26/00
• 分類號: B23K26/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;盧江

技術領域

本發明的示例性實施例涉及一種用于產生在單晶半導體主體中具有多晶半導體主體的半導體組件的方法。

背景技術

多晶半導體主體例如是通過半導體材料在襯底上的多晶沉積而產生的。

在US?2009/0212396?A1中描述了一種用于在半導體主體的鋸架中產生無定形或多晶半導體主體區段的方法。其中所解釋的方法提供將半導體主體單分（singulate）成不同節段，其中作為在半導體主體的分離區段中產生無定形或多晶半導體主體區段的結果，在半導體主體的分離區段中出現裂縫。在這種情況下，所述裂縫按照發自分離區段中的所述無定形或多晶半導體主體區段的方式形成。因此，所述無定形或多晶半導體主體區段的產生意圖用于分解半導體主體的晶體結構，以便將半導體主體劃分成單獨的半導體組件。

對于一些應用來說，諸如例如作為半導體組件中的復合區段，多晶結構在半導體組件的半導體主體內還將是期望的。這特別適用于諸如二極管、MOS晶體管、IGBT之類的功率半導體組件中的應用，而且也適用于射頻電路中的應用。

發明內容

一種用于產生具有多晶半導體主體區段的半導體組件的一個示例性實施例包括以下特征：

-?提供單晶半導體主體，所述單晶半導體主體具有第一表面、位于與第一表面相對的第二表面、半導體主體的半導體組件部分以及與之相鄰的半導體主體的分離區段；

-?在半導體組件部分中在第一和第二表面之間產生多晶半導體主體區段，其中按照聚焦到半導體主體的半導體組件部分中的位置上的方式向半導體主體中引入波長為至少1064nm的電磁輻射，并且其中所述位置處的輻射的功率密度小于1×10⁸W/cm²；

-?通過在分離區段中從第一表面遠到第二表面切割單晶半導體主體來單分半導體組件。

附圖說明

圖1示出了通過電磁輻射在半導體主體中產生橫向多晶半導體主體區段。

圖2示出了通過電磁輻射在半導體主體中產生垂直多晶半導體主體區段。

圖3示出了產生具有橫向和垂直部分的連續多晶半導體主體區段。

圖4示出了通過掩模在半導體主體中產生多晶半導體主體區段。

圖5借助于圖5a和圖5b中的示意性剖面圖示出了將雜質引入到半導體主體中。

圖6示出了半導體主體中的與溝槽鄰近的橫向多晶半導體主體區段。

圖7示出了穿過半導體主體的連續擴散結構。

圖8示出了具有連續擴散結構的半導體組件。

具體實施方式

下面參照附圖更加詳細地解釋本發明的示例性實施例。然而，本發明不限于具體描述的實施例，而是可以按照適當方式進行修改和更改。將一個實施例的單獨特征和特征組合與另一個實施例的特征和特征組合適當地組合以便得到根據本發明的其他實施例，處于本發明的范圍內。

在下面參照附圖更加詳細地解釋本發明的示例性實施例之前，指出的是：為附圖中的等同元件提供相同的或類似的附圖標記，并且省略了對這些元件的重復描述。此外，附圖不一定真正是按比例繪制的。相反，主要的重點是在于闡明基本原理。

圖1示出了用于產生多晶半導體主體區段的方法的基本實施例。在單晶半導體主體10中產生多晶半導體主體區段11。為此目的所提供的單晶半導體主體10具有第一表面12和位于與第一表面12相對的第二表面13。此外，所述半導體主體被細分成半導體組件部分14以及與之相鄰的分離區段15。在這種情況中，單晶半導體主體10可以例如由任何已知的半導體材料諸如硅構成。單晶半導體主體10例如可以是傳統的半導體晶片。然而，它也可以是這樣的晶片的僅僅一部分。

通過波長為至少1064nm的聚焦電磁輻射20產生多晶半導體主體區段11。為此目的，按照聚焦到處于第一表面12下方的深度T的位置上的方式將電磁輻射20引入到半導體組件部分14中，這導致將聚焦位置處的受輻射區段從單晶結構轉換成多晶結構。舉例來說，具有處于紅外范圍內的波長的激光束可以被用作電磁輻射20。舉例來說，所述波長處于1064nm與1342nm之間的范圍內。

聚焦位置處的電磁輻射20的功率密度小于1×10⁸W/cm²。舉例來說，聚焦位置處的聚焦輻射的功率密度處于1×10⁴W/cm²與1×10⁸W/cm²之間的范圍內。電磁輻射20到半導體主體10中的脈沖引入是可能的。