[發(fā)明專利]用于產(chǎn)生半導(dǎo)體組件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310063584.2
• 申請日: 2013-02-28
• 公開（公告）號: CN103286438A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: C.阿倫斯;A.科勒;G.萊克納;A.莫德;M.施內(nèi)岡斯;H-J.舒爾策
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: B23K26/00
• 分類號: B23K26/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;盧江

1.一種用于產(chǎn)生半導(dǎo)體組件的方法，包括：

-?提供單晶半導(dǎo)體主體，所述單晶半導(dǎo)體主體具有第一表面、位于與第一表面相對的第二表面、半導(dǎo)體主體的半導(dǎo)體組件部分以及與之相鄰的半導(dǎo)體主體的分離區(qū)段；

-?在半導(dǎo)體組件部分中第一和第二表面之間產(chǎn)生多晶半導(dǎo)體主體區(qū)段，其中按照聚焦到半導(dǎo)體主體的半導(dǎo)體組件部分中的位置上的方式向?qū)⒉ㄩL為至少1064nm的電磁輻射引入到半導(dǎo)體主體中，并且其中所述位置處的輻射的功率密度小于1×10⁸W/cm²；

-?通過在分離區(qū)段中從第一表面遠到第二表面切割單晶半導(dǎo)體主體來單分半導(dǎo)體組件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中將激光束用作電磁輻射。

3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中所述激光束具有處于紅外范圍內(nèi)的波長。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中按照聚焦到深度T處的位置上的方式將電磁輻射引入到半導(dǎo)體主體中。

5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中連續(xù)地或者步進地偏移聚焦電磁輻射在半導(dǎo)體主體中的位置。

6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中通過在第一和第二表面之間的方向上改變深度T來偏移所述位置。

7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中沿著平行于第一表面的方向偏移所述位置。

8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中按照脈沖方式將電磁輻射引入到半導(dǎo)體主體中。

9.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中借助于掩模按照局部定界的方式將電磁輻射引入到半導(dǎo)體主體中。

10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述半導(dǎo)體主體是硅半導(dǎo)體主體。

11.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中分別在半導(dǎo)體主體的不同半導(dǎo)體組件部分中產(chǎn)生多晶半導(dǎo)體主體區(qū)段，其中所述分離區(qū)段位于對應(yīng)的半導(dǎo)體組件部分之間。

12.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中在多晶半導(dǎo)體主體區(qū)段中提供雜質(zhì)并且對其中產(chǎn)生了多晶半導(dǎo)體主體區(qū)段的半導(dǎo)體主體進行加熱，其中所述雜質(zhì)沿著多晶半導(dǎo)體主體區(qū)段擴散。

13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中用于半導(dǎo)體主體的摻雜劑被提供為雜質(zhì)。

14.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中所述雜質(zhì)從多晶半導(dǎo)體主體區(qū)段擴散到與之相鄰的單晶半導(dǎo)體主體中。

15.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中將其中產(chǎn)生了多晶半導(dǎo)體主體區(qū)段的半導(dǎo)體主體加熱至少上至在800℃到1200℃的范圍內(nèi)的溫度。

16.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中在聚焦位置處的聚焦電磁輻射的功率密度處于1×10⁴W/cm²與1×10⁸W/cm²之間的范圍內(nèi)。

17.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述多晶半導(dǎo)體主體區(qū)段是以平行于第一表面的橫向方向上的10μm的最大范圍產(chǎn)生的。

18.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述多晶半導(dǎo)體主體區(qū)段是以處于50nm到1μm范圍內(nèi)的最大晶粒范圍產(chǎn)生的。