[發明專利]一種新型的在自由空間中實現均勻強靜磁場的方法有效
| 申請號: | 201310063549.0 | 申請日: | 2013-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN103223209A | 公開(公告)日: | 2013-07-31 |
| 發明(設計)人: | 孫非;何賽靈 | 申請(專利權)人: | 浙江大學 |
| 主分類號: | A61N2/02 | 分類號: | A61N2/02;G01R33/38 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人: | 杜軍 |
| 地址: | 310027 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 新型 自由空間 實現 均勻 磁場 方法 | ||
【權利要求書】:
1.?一種新型的在自由空間中實現均勻強靜磁場的方法,其特征在于:
將二維空間中的一個環形器件作為靜磁場增強器,環形器件內填充負磁導率的各向異性的非均勻磁性材料,在環形器件之外的內部和外部區域都是空氣;將環形器件所處的整個環境中加一個弱的均勻背景靜磁場,此時在環形器件之外的內部區域內實現均勻強靜磁場。
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