[發(fā)明專利]像素電路及其驅動方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310063133.9
• 申請日: 2013-02-28
• 公開（公告）號: CN103295524A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設計）人: 池田宏治
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李曉芳

技術領域

本發(fā)明涉及包括發(fā)光元件的像素電路及其驅動方法，具體地涉及可應用于自發(fā)光類型的顯示裝置的像素電路及其驅動方法。

背景技術

通常是有機電致發(fā)光（EL）顯示裝置的自發(fā)光類型的顯示裝置通過在基板上以矩陣布置多個像素來配置。在每個像素中，布置包括發(fā)光元件的像素電路。為了使得每個像素的發(fā)光元件發(fā)出具有基于每個像素的圖像數(shù)據(jù)的亮度的光，需要準確地控制流入每個發(fā)光元件的電流速率。通常，自發(fā)光類型的顯示裝置具有有源矩陣配置，其中在像素電路上提供諸如薄膜晶體管（TFT）之類的有源元件（在下文中可以稱為“Tr”），以準確地控制流入每個發(fā)光元件的電流速率。

順便提及，由多晶硅（在下文中稱為“P-Si”）形成的TFT比由非晶硅（在下文中稱為“A-Si”）形成的TFT具有更高的場效應遷移率和更高的ON（導通）電流。相應地，由多晶硅形成的晶體管Tr適合于用在高分辨率顯示裝置中的像素電路中的晶體管Tr。但是，由多晶硅形成的晶體管Tr具有如下問題：由于晶粒邊界上的晶格缺陷，電特征的變化往往會出現(xiàn)。為了解決該問題，存在在日本專利申請公開No.2008-176287和2006-251631中描述的技術，其校正具有源極跟隨器類型的連接的像素電路中的晶體管Tr的閾值的變化（閾值電壓的變化），在源極跟隨器類型的連接中，發(fā)光元件的陰極電極連接到恒定電壓，并且陽極電極連接到驅動晶體管的源極電極。

日本專利申請公開No.2008-176287在像素電路采用NMOS驅動晶體管Tr來校正閾值的變化的情況下，采用通過改變連接到像素電路的電源線的電勢來驅動的方法和不改變電源線的電勢來驅動的方法中的一個。

但是，在通過改變電源線的電勢來驅動的情況下，電源線通常具有寬的布線寬度以減小電阻，因而具有高的寄生電容。因此，存在電源線的電勢的變化增加功耗的問題。同時，布置用于改變電源線的電勢的開關，其引起難以實現(xiàn)高分辨率的問題。同時，在不改變電源線的電勢來驅動的情況下，向像素電路施加高于電源線的電勢的電壓作為預充電電壓，由此執(zhí)行驅動。因此，存在需要的電壓范圍增大因而功耗增大的問題。

日本專利申請公開No.2006-251631采用不改變電源線來驅動的方法，在用于校正閾值的變化的像素電路中包括兩個電容器，并且使用電容比來寫入數(shù)據(jù)電壓。但是，在像素電路中多個電容器的需要引起難以實現(xiàn)高分辨率的問題。

發(fā)明內容

因而，本發(fā)明具有提供一種校正驅動晶體管的閾值電壓的變化、減小功耗并且實現(xiàn)高分辨率的、具有源極跟隨器類型的連接的像素電路的目的。本發(fā)明具有提供一種校正驅動晶體管的閾值電壓的變化同時降低功耗的像素電路的驅動方法的另一個目的。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，一種像素電路，包括：數(shù)據(jù)線，用于提供數(shù)據(jù)電壓；電源線，用于提供電源電壓；參考電壓線，用于提供低于電源電壓的參考電壓；多條控制信號線，用于提供控制信號；發(fā)光元件，具有連接到恒定電勢的陰極電極；驅動晶體管，具有連接到發(fā)光元件的陽極電極的源極電極；電容器，其一端連接到驅動晶體管的柵極電極；第一開關晶體管，用于將電容器的另一端連接到數(shù)據(jù)線；第二開關晶體管，用于將電容器的所述另一端連接到驅動晶體管的源極電極；第三開關晶體管，用于將驅動晶體管的源極電極連接到參考電壓線；第四開關晶體管，用于將電容器的所述一端連接到驅動晶體管的漏極電極；和第五開關晶體管，用于將驅動晶體管的漏極電極連接到電源線，其中所述多條控制信號線中的每一條控制信號線至少連接到第一開關晶體管到第五開關晶體管的每一個，所述控制信號導通或截止第一開關晶體管到第五開關晶體管，并且相同的控制信號提供給第二開關晶體管和第五開關晶體管的柵極電極。