[發(fā)明專利]晶圓及其可接受測試方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310062594.4
• 申請日: 2013-02-27
• 公開（公告）號: CN104009020B
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 連曉謙;凌耀君
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/68
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 鄧云鵬

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種晶圓可接受測試方法和一種晶圓。

背景技術(shù)

WAT（wafer acceptance test，晶圓可接受測試）是芯片制造過程中的重要步驟，用于檢測晶圓上的芯片是否符合預(yù)期的設(shè)計目標，也即芯片的電學(xué)參數(shù)是否符合客戶需求。

WAT的是分區(qū)域（block）進行的，每次測試一個區(qū)域。一個區(qū)域包含多個晶片（die），多個晶片相互之間都間隔開來，其中晶片之間間隔的區(qū)域稱之為劃片槽或切割道（subscribe line）。為了準確定位測試區(qū)域的位置，通常都要在晶圓上設(shè)置一些對準圖形，以輔助對準。對準圖形就設(shè)置在上述的劃片槽內(nèi)，并且其圖形與晶片上的電路圖形截然不同，以利于分辨。

然而，傳統(tǒng)的WAT方法中，由于探針程序的對位精度不夠，在劃片槽內(nèi)的對準圖形比較接近時，若發(fā)生誤認對準圖形的情況，就會導(dǎo)致定位偏移。這樣探針就不能準確落在測試點，而劃傷晶片的其他部分，導(dǎo)致晶圓報廢。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種能夠精確定位的晶圓可接受測試方法。

此外，還提供一種使得WAT方法能夠準確定位測試區(qū)域的晶圓。

一種晶圓，包括形成于其上且呈矩陣排列的晶片，所述晶片被劃分到多個測試區(qū)域，每個測試區(qū)域包含至少四個呈矩陣排列的晶片，所述每個測試區(qū)域的晶片之間的間隔區(qū)域形成位于所述測試區(qū)域內(nèi)的劃片槽，所述每個測試區(qū)域中的劃片槽中設(shè)有至少兩個對準圖形，且在橫向的劃片槽和縱向的劃片槽中分別至少設(shè)置一個對準圖形。

在其中一個實施例中，所述對準圖形設(shè)置在相互距離最遠的橫向的和縱向的劃片槽中。

一種晶圓可接受測試方法，包括如下步驟：在每個測試區(qū)域的劃片槽中設(shè)置至少兩個對準圖形，且在橫向的劃片槽中和縱向的劃片槽中分別至少設(shè)置一個對準圖形；采用低倍基準對位調(diào)整晶圓在測試臺上的角度；采用高倍基準對位對測試區(qū)域進行定位，具體包括：分別定位所述設(shè)置在橫向的劃片槽中的對準圖形和設(shè)置在縱向的劃片槽中的對準圖形；定義測試模塊；核對晶圓對位信息并進行測試。

在其中一個實施例中，在采用低倍基準對位調(diào)整晶圓在測試臺上的角度的步驟之前，還對晶圓的邊緣進行對位。

在其中一個實施例中，所述采用低倍基準對位調(diào)整晶圓在測試臺上的角度的步驟包括利用低倍對位模塊下的上、中、下、左、右5個對位模塊調(diào)整晶圓的角度。

在其中一個實施例中，采用高倍基準對位對測試區(qū)域進行定位的步驟包括利用高倍對位模塊下的上、中、下、左、右5個對位模塊對測試區(qū)域進行定位。

上述的晶圓和測試方法，在利用對準圖形進行對準時，由于分別設(shè)置在橫向和縱向的劃片槽中，二者的相對坐標固定，當(dāng)其中一個對準圖形被誤認時，另一個對準圖形的位置必然產(chǎn)生偏移（一般是偏移到晶片的位置），而對準圖形和晶片上的電路圖形不可能相同或相似。當(dāng)由于其中一個被誤認而產(chǎn)生偏移時，另一個對準圖形無法在錯誤的位置被識別，因而不能對測試區(qū)域進行定位，后續(xù)的測試步驟就無法進行，因此可以有效避免因誤認對準圖形而造成的晶圓損壞。

附圖說明

圖1為一實施例的晶圓示意圖；

圖2為圖1中A部分的局部放大圖；

圖3為一實施例的晶圓可接受測試方法的流程圖。

具體實施方式

如圖1所示，為一實施例的晶圓示意圖。該晶圓10包括形成于其上且呈矩陣排列的晶片100，所述晶片100被劃分到多個測試區(qū)域200。測試區(qū)域200的劃分可以根據(jù)測試需要或者以功能區(qū)域進行劃分。每個測試區(qū)域200包含至少4個呈矩陣排列的晶片100。

如圖2所示，是圖1中A部分的局部放大圖。在晶圓10中，晶片100并不是緊密排列的，而是相互之間具有60~100微米的間隔，即劃片槽或切割道（subscribe line）。本實施例的晶圓10即在每個測試區(qū)域200中的劃片槽中設(shè)有兩個對準圖形202、204，且分別設(shè)置在橫向的劃片槽中和縱向的劃片槽中。其他測試區(qū)域200中的對準圖形的位置可參照A部分進行設(shè)置。