[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201310060424.2
• 申請日: 2010-08-23
• 公開（公告）號: CN103151387A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 山崎舜平;坂田淳一郎;野田耕生;坂倉真之;及川欣聰;丸山穗高
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張欣

1.一種半導體器件，包括：

在襯底上的第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上的氧化物半導體層；和

在所述氧化物半導體層上的第二絕緣層，

其中所述第一絕緣層和所述第二絕緣層含有氧化硅且含有1×10¹⁸atoms/cm³以上且1×10²²atoms/cm³以下的鋁或硼。

2.一種半導體器件，包括：

在襯底上的第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上的氧化物半導體層；和

在所述氧化物半導體層上的第二絕緣層，

其中所述第一絕緣層和所述第二絕緣層含有氧化硅且含有1×10¹⁹atoms/cm³以上且3×10²¹atoms/cm³以下的銻或磷。

3.如權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，

所述第二絕緣層與所述氧化物半導體層相接觸。

4.如權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，

在所述第二絕緣層和所述氧化物半導體層之間包括由氧化硅形成的第三絕緣層，其中所述第三絕緣層不含有硼元素、鋁元素、磷元素及銻元素。

5.一種顯示面板，包括如權利要求1或2所述的半導體器件。

6.一種顯示模塊，包括如權利要求5所述的顯示面板以及FPC。

7.一種電子設備，包括如權利要求6所述的顯示模塊、操作部分以及外部連接端子。

8.一種顯示裝置，包括：

在襯底上的柵電極層；

在所述柵電極層上的第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上的氧化物半導體層；

在所述氧化物半導體層上的源電極層；

在所述氧化物半導體層上的漏電極層；

在所述氧化物半導體層、所述源電極層及漏電極層上的第二絕緣層；和

經由形成在所述第二絕緣層中的開口與所述源電極層或漏電極層電連接的顯示元件，

其中所述第一絕緣層和所述第二絕緣層含有氧化硅且含有1×10¹⁸atoms/cm³以上且1×10²²atoms/cm³以下的鋁或硼。