[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光器件及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310060242.5
• 申請日: 2013-02-26
• 公開（公告）號: CN104009182A
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發(fā)明（設計）人: 周明杰;王平;黃輝;張振華
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 生啟;何平

1.一種有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的外散射層、玻璃基底、聚合物層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述外散射層包括形成于所述玻璃基底背面的二氧化鈦薄膜及形成于所述二氧化鈦薄膜表面的碳酸鈣薄膜，所述聚合物層的材料為聚3,4-二氧乙烯噻吩與聚苯磺酸鹽的混合物，所述陽極的材料選自銀、鋁、鉑及金中的至少一種。

2.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述碳酸鈣薄膜的厚度為1μm~10μm，所述二氧化鈦薄膜的厚度為1μm~5μm，所述聚合物層的厚度為20nm~80nm。

3.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述玻璃基底的折射率為1.8~2.2。

4.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。

5.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料選自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺。

6.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將玻璃基底的背面浸泡在50℃~100℃的四氯化鈦溶液中20分鐘~60分鐘，洗滌后在400℃~600℃下煅燒在玻璃基底的背面形成二氧化鈦薄膜；

將所述二氧化鈦薄膜浸泡在碳酸鈣溶液中30分鐘~180分鐘，取出烘干后在600℃~800℃下煅燒，從而在所述二氧化鈦薄膜的表面形成碳酸鈣薄膜；

在所述玻璃基底的正面旋涂制備聚合物層，所述聚合物層的材料為聚3,4-二氧乙烯噻吩與聚苯磺酸鹽的混合物；

在所述聚合物層的表面蒸鍍制備陽極，所述陽極的材料選自銀、鋁、鉑及金中的至少一種；及

在所述陽極的表面依次蒸鍍制備穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。

7.根據(jù)權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述碳酸鈣薄膜的厚度為1μm~10μm，所述二氧化鈦薄膜的厚度為1μm~5μm，所述聚合物層的厚度為20nm~80nm。

8.根據(jù)權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述玻璃基底的折射率為1.8~2.2。

9.根據(jù)權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述四氯化鈦溶液的濃度為20mmol/L~60mmol/L，在400℃~600℃下煅燒的時間為20分鐘~40分鐘。

10.根據(jù)權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述醋酸鈣溶液的質(zhì)量濃度為10%~30%，在600℃~800℃下煅燒的時間為10分鐘~60分鐘。