[發明專利]制備有機發光裝置的方法有效
| 申請號: | 201310060186.5 | 申請日: | 2013-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN103296224B | 公開(公告)日: | 2017-09-22 |
| 發明(設計)人: | 樸鎮宇 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司11286 | 代理人: | 韓明星,張川緒 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制備 有機 發光 裝置 方法 | ||
1.一種制備有機發光裝置的方法,所述方法包括:
在基底上形成有機發射單元;以及
形成薄膜包封層,所述薄膜包封層接觸環境元件并包括至少一個無機層,所述至少一個無機層包括低溫粘度轉變無機材料,
其中,利用包括下述步驟的工藝形成所述至少一個無機層:
通過將所述低溫粘度轉變無機材料提供到所述環境元件位于其上的所述有機發射單元上來形成包括所述低溫粘度轉變無機材料的預無機層;
在高于所述低溫粘度轉變無機材料的粘度轉變溫度的溫度下對所述預無機層執行第一恢復處理;和
對已經經歷過所述第一恢復處理的所述預無機層執行第二恢復處理,以提高所述環境元件和所述低溫粘度轉變無機材料之間的結合力并提高所述低溫粘度轉變無機材料之間的結合力。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,所述環境元件包括在形成所述有機發射單元的過程中出現的雜質顆粒。
3.根據權利要求1所述的方法,其中,所述低溫粘度轉變無機材料的粘度轉變溫度是使所述低溫粘度轉變無機材料表現出流體性質所需的最低溫度。
4.根據權利要求1所述的方法,其中,所述低溫粘度轉變無機材料的粘度轉變溫度低于所述有機發射單元的材料的變性溫度。
5.根據權利要求1所述的方法,其中,所述低溫粘度轉變無機材料的粘度轉變溫度低于所述有機發射單元的多種材料的變性溫度的最小值。
6.根據權利要求1所述的方法,其中,所述低溫粘度轉變無機材料包括錫氧化物。
7.根據權利要求6所述的方法,其中,所述低溫粘度轉變無機材料還包括磷氧化物、磷酸硼、錫氟化物、鈮氧化物和鎢氧化物中的至少一種。
8.根據權利要求1所述的方法,其中,所述低溫粘度轉變無機材料包括以下物質中的至少一種:SnO;SnO和P2O5;SnO和BPO4;SnO、SnF2和P2O5;SnO、SnF2、P2O5和NbO;以及SnO、SnF2、P2O5和WO3。
9.根據權利要求1所述的方法,其中,利用真空沉積提供所述低溫粘度轉變無機材料。
10.根據權利要求1所述的方法,其中,所述第一恢復處理包括在所述低溫粘度轉變無機材料的粘度轉變溫度和所述有機發射單元的材料的變性溫度之間的溫度下對所述預無機層進行熱處理。
11.根據權利要求1所述的方法,其中,所述第一恢復處理包括在所述低溫粘度轉變無機材料的粘度轉變溫度和所述有機發射單元的多種材料的變性溫度的最小值之間的溫度下對所述預無機層進行熱處理。
12.根據權利要求1所述的方法,其中,所述第一恢復處理包括在80℃至132℃的范圍內的溫度下對所述預無機層進行熱處理1小時至3小時。
13.根據權利要求1所述的方法,其中,所述第一恢復處理在真空下或在惰性氣體氣氛下進行。
14.根據權利要求1所述的方法,其中,所述第二恢復處理包括化學處理、等離子體處理、室內包含氧的熱室處理或者室內包含氧和濕氣的熱室處理。
15.根據權利要求1所述的方法,其中,所述第二恢復處理包括化學處理,其中,使用從由酸溶液、堿溶液和中性溶液組成的組中選擇的至少一種對已經經歷第一恢復處理的預無機層進行處理。
16.根據權利要求15所述的方法,其中,所述堿溶液包括硝酸鹽。
17.根據權利要求1所述的方法,其中,第二恢復處理包括等離子體處理,其中,在真空下使用O2等離子體、N2等離子體和Ar等離子體中的至少一種對已經經歷第一恢復處理的預無機層進行處理。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





