[發明專利]一種改善激光退火后晶圓表面電阻均勻性的方法

無效

• 申請號: 201310055069.X
• 申請日: 2013-02-20
• 公開（公告）號: CN103117211A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 邱裕明
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/268
• 分類號: H01L21/268;H01L21/02
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種改善激光退火后晶圓表面電阻均勻性的方法，其特征在于，包括：

采用激光退火裝置對所述晶圓依次進行初次掃描工藝和二次掃描工藝；

在對所述晶圓進行初次掃描工藝過程中，所述晶圓的凹口的開口端朝向不變；

對所述晶圓進行初次掃描工藝后，將所述晶圓旋轉一定角度后，繼續對所述晶圓進行二次掃描工藝。

2.如權利要求1所述改善激光退火后晶圓表面電阻均勻性的方法，其特征在于，所述晶圓旋轉是繞所述晶圓的中心在同一平面內旋轉。

3.如權利要求1所述改善激光退火后晶圓表面電阻均勻性的方法，其特征在于，所述初次掃描工藝包括多次第一局部掃描步驟；

進行所述第一局部掃描步驟時，所述激光退火裝置掃描所述晶圓的軌跡是從所述晶圓左側邊緣進入，并從所述晶圓的右側邊緣對應位置退出，且所述軌跡的形狀是向上凸起的弧形；

完成所述初次掃描工藝后，所述晶圓表面上的任意一部分均被所述激光退火工藝裝置掃描一次。

4.如權利要求3所述改善激光退火后晶圓表面電阻均勻性的方法，其特征在于，所述掃描裝置進入掃描的位置點與所述晶圓中心點所構成的連線與豎直方向呈θ角；

所述θ角的范圍為45°～60°。

5.如權利要求3所述改善激光退火后晶圓表面電阻均勻性的方法，其特征在于，

在所述多次第一局部掃描中，每一次的所述第一局部掃描步驟的掃描軌跡與上一次的所述第一局部掃描步驟的掃描軌跡之間相隔一個固定的距離。

6.如權利要求1所述改善激光退火后晶圓表面電阻均勻性的方法，其特征在于，所述二次掃描工藝包括多次第二局部掃描步驟；

進行所述第二局部掃描步驟時，所述激光退火裝置掃描所述晶圓的軌跡是從所述晶圓左側邊緣進入，并從所述晶圓的右側邊緣對應位置對退出，且所述激光退火裝置掃描所述晶圓的軌跡是向上凸起的弧形；

完成所述二次掃描工藝后，所述晶圓表面上的任意一部分均被所述激光退火工藝裝置掃描兩次。

7.如權利要求6所述改善激光退火后晶圓表面電阻均勻性的方法，其特征在于，

在所述多次第二局部掃描中，每一次的所述第二局部掃描步驟的掃描軌跡與上一次的所述第二局部掃描步驟的掃描軌跡之間相隔一個固定的距離。

8.如權利要求5或7所述改善激光退火后晶圓表面電阻均勻性的方法，其特征在于，所述激光退火裝置包括激光發射器，所述激光發射器發射激光束對所述晶圓進行所述初次掃描工藝和所述二次掃描工藝；

所述固定的距離為一個所述激光束長度。

9.如權利要求1所述改善激光退火后晶圓表面電阻均勻性的方法，其特征在于，在所述初次掃描工藝中所述晶圓的凹口的開口端方向朝向正下方。

10.如權利要求1所述改善激光退火后晶圓表面電阻均勻性的方法，其特征在于，在所述二次掃描工藝中所述晶圓的凹口的開口端方向朝向水平向右。