[發(fā)明專利]壓電裝置的制造方法以及壓電裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310053809.6 | 申請日: | 2013-02-19 |
| 公開(公告)號: | CN103259504A | 公開(公告)日: | 2013-08-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 水澤周一;高橋岳寬 | 申請(專利權)人: | 日本電波工業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | H03H9/05 | 分類號: | H03H9/05;H03H9/10 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 日本東京涉谷區(qū)笹*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 壓電 裝置 制造 方法 以及 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種安裝于印刷配線基板上的壓電裝置(piezoelectric?device)的制造方法以及壓電裝置。本發(fā)明尤其涉及一種簡單地制造具有不同的安裝端子的壓電裝置的制造方法。
背景技術
對于電氣設備等要求小型及/或輕量化。并且,對于用于電氣設備等的壓電裝置亦要求小型及/或輕量化。因此,最近,多為表面安裝結構的壓電裝置。壓電裝置的底部圖案(foot?pattern)(端子圖案)視電氣設備的性能或功能而存在多種。例如有在構成壓電裝置的基底(base)部的底面形成電源端子與輸出端子這兩個安裝端子(熱端子(hot?terminal))的壓電裝置、或者除了該安裝端子以外還形成接地端子的壓電裝置等各種壓電裝置。
現(xiàn)有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本專利特開2011-045041號公報
但是,對于各種安裝端子的配置(底部圖案),如果每次都要設計安裝端子的配置不同的基底部及適合于該基底部的壓電振動元件等,則會耗費成本(cost)。而且,對它們進行制造管理也會造成成本增加。因此,較為理想的是,即使安裝端子的配置(底部圖案)不同,也盡可能使用共用的基底部或晶體振動元件。
發(fā)明內(nèi)容
第1觀點的壓電裝置的制造方法包括:準備形成有多個壓電振動元件的壓電晶片的工序,所述壓電振動元件具有壓電片及外框,所述壓電片具有一對激振電極,所述外框以包圍該壓電片的方式形成,所述外框包含從激振電極引出的一對引出電極;以及準備第1晶片的工序,所述第1晶片包含絕緣材,所述第1晶片形成有多個第1容器體以及多個貫穿孔,所述多個第1容器體包括:與壓電振動元件的一方的主面接合的第1接合面、及第1接合面的相反側(cè)的底面,所述多個貫穿孔在相鄰的第1容器體的共用邊上、從第1接合面貫穿至底面為止。制造方法更包括:接合工序,將壓電晶片與第1晶片予以接合;以及分別準備第1端子遮罩與第2端子遮罩的工序,所述第1端子遮罩用于形成在底面上形成的電源用的及振動頻率的輸出用的一對熱端子,所述第2端子遮罩用于形成一對熱端子及接地用的接地端子。而且,制造方法包括:選擇工序,在接合工序后,選擇第1晶片的底面上的、第1端子遮罩的配置與第2端子遮罩的配置;以及形成工序,在選擇工序后,經(jīng)由第1端子遮罩而形成具有電源端子及輸出端子的底面,或者,經(jīng)由第2端子遮罩而形成具有電源端子、輸出端子及接地端子的底面。
第2觀點的壓電裝置的制造方法包括:準備形成有多個第2容器體的第2晶片的工序,所述第2晶片包含絕緣材,所述第2容器體包括:與壓電振動元件的另一方的主面接合的第2接合面、及第2接合面的相反側(cè)的頂面,接合工序?qū)弘娋?、?晶片以及第2晶片予以接合。
第3觀點的壓電裝置的制造方法中,第2容器體形成為平板矩形狀。
第4觀點的壓電裝置的制造方法中,壓電振動元件是形成為矩形狀,在壓電片與外框的短邊之間形成有連結部,一對引出電極經(jīng)由連結部分別延伸至相向的兩短邊為止,第1容器體是形成為平板矩形狀,在相鄰的第1容器體的共用邊的至少1邊形成有1個貫穿孔,熱端子連接于貫穿孔,一對引出電極分別連接于熱端子。
第5觀點的壓電裝置的制造方法中,第1端子遮罩具有:沿第1容器體的長邊方向延伸的熱端子用的開口圖案。
第6觀點的壓電裝置的制造方法中,第2端子遮罩具有:正方形狀的熱端子用的開口圖案。
第7觀點的壓電裝置是利用第1觀點至第6觀點中所述的制造方法而制造的裝置。
(發(fā)明的效果)
本發(fā)明提供一種制造方法以及通過該制造方法而制造的壓電裝置,所述制造方法對于各種安裝端子的配置(底部圖案),無須每次都設計適合于基底部的壓電振動元件等,而能夠形成各種安裝端子。
附圖說明
圖1是第1壓電裝置100的分解立體圖。
圖2是第1壓電裝置100的A-A剖面圖。
圖3是第2壓電裝置200的分解立體圖。
圖4是第3壓電裝置300的分解立體圖。
圖5是表示第1壓電裝置100、第2壓電裝置200以及第3壓電裝置300的制造的流程圖。
圖6是晶體晶片20W的平面圖。
圖7是第1壓電裝置100用的第1晶片30W的平面圖(底面)。
圖8是第2壓電裝置200用的第1晶片40W的平面圖(底面)。
圖9是第3壓電裝置300用的第1晶片50W的平面圖(底面)。
圖10是A端子遮罩30M的平面圖(安裝面用)。
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