[發(fā)明專利]一種雙向移位寄存器單元、雙向移位寄存器及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310052702.X
• 申請(qǐng)日: 2013-02-18
• 公開（公告）號(hào): CN103226979A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡祖權(quán);王國(guó)磊;馬睿;胡明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C19/28
• 分類號(hào): G11C19/28;G09G3/20
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及移位寄存器，特別是一種雙向移位寄存器單元、雙向移位寄存器及顯示裝置。?

背景技術(shù)

集成柵極移位寄存器將柵極脈沖輸出寄存器集成在面板上，從而節(jié)省了IC，降低了成本。集成柵極移位寄存器的實(shí)現(xiàn)方法有很多種，可以包含不同多個(gè)晶體管和電容，常用的有12T1C，9T1C，13T1C等結(jié)構(gòu)。?

一般而言，一個(gè)移位寄存器由多級(jí)移位寄存器單元組成，而每一級(jí)移位寄存器單元只是在極短的時(shí)間內(nèi)輸出一個(gè)高電平信號(hào)，而在其他時(shí)間都會(huì)輸出低電平信號(hào)，通常為VSS信號(hào)。?

現(xiàn)有技術(shù)的雙向移位寄存器至少存在產(chǎn)品壽命較低的缺點(diǎn)，對(duì)此說明如下。?

前面已經(jīng)提到，每一級(jí)移位寄存器單元只是在極短的時(shí)間內(nèi)輸出一個(gè)高電平信號(hào)，而在其他時(shí)間都會(huì)輸出低電平信號(hào)，為了保證移位寄存器單元輸出低電平信號(hào)，則需要向上拉節(jié)點(diǎn)和輸出節(jié)點(diǎn)輸出低電平信號(hào)，通常為VSS。也就是說，向上拉節(jié)點(diǎn)和輸出節(jié)點(diǎn)輸出低電平信號(hào)的時(shí)間非常長(zhǎng)，這個(gè)時(shí)間通常占到99％以上。?

而同時(shí)，該VSS信號(hào)都是通過下拉晶體管輸出，這就需要下拉晶體管處于高電平導(dǎo)通的狀態(tài)，以輸出VSS信號(hào)到上拉節(jié)點(diǎn)和輸出節(jié)點(diǎn)。?

從以上描述可以發(fā)現(xiàn)，下拉晶體管的柵極上長(zhǎng)期處于高電平狀態(tài)，這就會(huì)導(dǎo)致使得下拉晶體管比雙向移位寄存器單元中的其他晶體管老化更快，縮短了產(chǎn)品的使用壽命。?

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種雙向移位寄存器單元、雙向移位寄存器?及顯示裝置，提高移位寄存器的壽命。?

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種雙向移位寄存器單元，所述移位移位寄存器單元具有包括電容單元和TFT的上拉模塊，所述電容單元的一端與本級(jí)輸出節(jié)點(diǎn)連接，另一端與上拉節(jié)點(diǎn)連接，所述雙向移位寄存器單元還包括能夠在掃描方向不同時(shí)，互換作為預(yù)充電控制單元和復(fù)位控制單元的至少兩個(gè)TFT，所述雙向移位寄存器單元還包括一第一下拉模塊，用于在下拉階段拉低所述本級(jí)輸出節(jié)點(diǎn)連接和上拉節(jié)點(diǎn)的電位，所述第一下拉模塊包括在下拉階段交替工作的第一下拉子模塊和第二下拉子模塊。?

上述的雙向移位寄存器單元，其中，第一下拉子模塊具有對(duì)應(yīng)的第一下拉子節(jié)點(diǎn)，第二下拉子模塊具有對(duì)應(yīng)的第二下拉子節(jié)點(diǎn)，每一個(gè)下拉子模塊包括：?

第一TFT，源極與低電位輸入節(jié)點(diǎn)連接，漏極與本級(jí)輸出節(jié)點(diǎn)連接，柵極與對(duì)應(yīng)的下拉子節(jié)點(diǎn)連接；?

第二TFT，源極與低電位輸入節(jié)點(diǎn)連接，漏極與上拉節(jié)點(diǎn)連接，柵極與對(duì)應(yīng)的下拉節(jié)點(diǎn)連接；?

所述雙向移位寄存器單元還包括：?

一拉高模塊，用于在下拉階段拉高所述第一下拉子節(jié)點(diǎn)和第二下拉子節(jié)點(diǎn)中的一個(gè)下拉子節(jié)點(diǎn)的電位；?

對(duì)應(yīng)于每一個(gè)下拉子節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)設(shè)置的第一關(guān)聯(lián)單元，用于在對(duì)應(yīng)的下拉子節(jié)點(diǎn)處于高電平時(shí)，拉低另一個(gè)下拉子節(jié)點(diǎn)的電平；?

上述的雙向移位寄存器單元，其中，基于所述雙向移位寄存器單元形成的移位寄存器中，相鄰移位寄存器單元的第一下拉子節(jié)點(diǎn)相互連接，第二下拉子節(jié)點(diǎn)相互連接，且相鄰移位寄存器單元的拉高模塊與不同的下拉子節(jié)點(diǎn)連接，且輸出高電平信號(hào)的時(shí)間相互錯(cuò)開。?

上述的雙向移位寄存器單元，其中，每一個(gè)第一關(guān)聯(lián)單元均包括一TFT，源極與低電位輸入節(jié)點(diǎn)連接，柵極與對(duì)應(yīng)的下拉子節(jié)點(diǎn)連接，漏極與另一個(gè)下拉子節(jié)點(diǎn)。?

上述的雙向移位寄存器單元，其中，還包括：?

對(duì)應(yīng)于每一個(gè)下拉子節(jié)點(diǎn)設(shè)置的第二關(guān)聯(lián)單元，用于在拉高節(jié)點(diǎn)處于高電位時(shí)拉低對(duì)應(yīng)的下拉子節(jié)點(diǎn)的電位。?

上述的雙向移位寄存器單元，其中，還包括：?

第三關(guān)聯(lián)單元，用于在雙向移位寄存器單元處于預(yù)充電階段時(shí)，關(guān)閉所述拉高模塊。?

上述的雙向移位寄存器單元，其中，第三關(guān)聯(lián)單元包括一TFT，源極與低電位輸入節(jié)點(diǎn)連接，柵極接收預(yù)充電階段打開預(yù)充電TFT的控制信號(hào)，漏極輸出所述低電位輸入節(jié)點(diǎn)輸出的低電平信號(hào)到所述拉高模塊，以關(guān)閉所述拉高模塊。?

為了更好的實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種2N級(jí)雙向移位寄存器，其中N大于1，包括第0級(jí)雙向移位寄存器單元、第2N+1級(jí)雙向移位寄存器單元，以及2N個(gè)利用上述的雙向移位寄存器單元實(shí)現(xiàn)的位于第0級(jí)雙向移位寄存器單元和第2N+1級(jí)雙向移位寄存器單元之間的中間級(jí)移位寄存器單元。?