[發明專利]金屬漿料填充方法、金屬漿料填充裝置和孔塞制作方法

無效

• 申請號: 201310051851.4
• 申請日: 2013-02-17
• 公開（公告）號: CN103258786A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 山口永司;中村充一;原田宗生
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種金屬漿料填充方法，其用于向形成于基板的表面的一個或多個非貫通孔填充金屬漿料，所述金屬漿料填充方法的特征在于，具有：

將襯墊的作用面以與所述基板的表面夾著比規定的閾值小的間隙的方式接近所述基板的表面，使得至少一個所述非貫通孔被覆蓋的工序；

從形成于所述襯墊的作用面的一個或多個排氣口排出所述間隙內的空氣，對所述間隙中進行減壓的工序；和

從形成于所述襯墊的作用面的一個或多個注入口向位于所述間隙中的全部或一部分的所述非貫通孔供給金屬漿料的工序。

2.如權利要求1所述的金屬漿料填充方法，其特征在于：

所述閾值為形成于所述襯墊的作用面和所述基板的表面之間的間隙的全側面面積與所述排氣口的全孔徑面積相等時的間隙距離。

3.如權利要求1或2所述的金屬漿料填充方法，其特征在于：

在所述金屬漿料供給工序中，繼續進行經由所述排氣口的排氣動作，直至所述金屬漿料遍布所述間隙內的全部或一部分的所述非貫通孔，在所述金屬漿料遍布所述間隙內的全部或一部分的所述非貫通孔后，停止所述排氣動作。

4.如權利要求3所述的金屬漿料填充方法，其特征在于：

在所述金屬漿料供給工序中，在所述排氣動作停止之后，立即將所述排氣口向大氣開放，或者在所述排氣動作停止的同時，將所述排氣口向大氣開放。

5.如權利要求1或2所述的金屬漿料填充方法，其特征在于：

在所述金屬漿料供給工序結束之后，立即將所述襯墊的作用面按壓到所述基板的表面。

6.如權利要求1或2所述的金屬漿料填充方法，其特征在于：

所述基板為從半導體晶片切成為單片的一個半導體芯片，

在所述接近工序中，所述襯墊覆蓋形成于所述半導體芯片的表面的全部或一部分的所述非貫通孔，

在所述減壓工序中，所述半導體芯片的全部或一部分的所述非貫通孔中變為負壓狀態，

在所述金屬漿料供給工序中，向所述半導體芯片的全部或一部分的所述非貫通孔一并填充金屬漿料。

7.如權利要求1或2所述的金屬漿料填充方法，其特征在于：

所述基板為半導體晶片，

在所述接近工序中，所述襯墊覆蓋在所述半導體晶片上的一個或連續的多個單元區域形成的全部或一部分的所述非貫通孔，

在所述減壓工序中，所述單元區域內的全部或一部分的所述非貫通孔中變為負壓狀態，

在所述金屬漿料供給工序中，向所述單元區域內的全部或一部分的所述非貫通孔一并填充金屬漿料。

8.如權利要求1或2所述的金屬漿料填充方法，其特征在于：

所述基板為半導體晶片，

在所述接近工序中，所述襯墊覆蓋在所述半導體晶片上的、以所述襯墊的作用面為基準被劃分為矩陣狀的任意的一個單位的劃分區域形成的全部或一部分的所述非貫通孔，

在所述金屬漿料供給工序中，向所述一個單位的劃分區域內的全部或一部分的所述非貫通孔一并填充金屬漿料。

9.如權利要求1或2所述的金屬漿料填充方法，其特征在于：

所述非貫通孔的孔徑為5～50μm。

10.如權利要求1或2所述的金屬漿料填充方法，其特征在于：

所述金屬漿料含有金屬納米粒子。

11.一種孔塞制作方法，其用于在形成于基板的表面的一個或多個非貫通孔中制作導體的孔塞，所述孔塞制作方法的特征在于，具有：

將在與各個所述非貫通孔重疊的位置形成有與該非貫通孔為同一孔徑的開口的掩膜覆蓋在所述基板的被處理面上的工序；

對各個所述非貫通孔，從其底部到所述掩膜的開口的頂部填充金屬漿料的工序；

以規定的溫度對所述基板進行加熱，對填充于所述非貫通孔的所述金屬漿料進行燒成，使所述金屬漿料變為固體的孔塞的工序；和

從所述基板的被處理面除去所述掩膜的工序。