[發(fā)明專利]基準電壓產(chǎn)生裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310050845.7
• 申請日: 2013-02-08
• 公開（公告）號: CN103246309B
• 公開（公告）日: 2017-07-18
• 發(fā)明（設計）人: 吉野英生;小山內(nèi)潤;橋谷雅幸;廣瀨嘉胤
• 申請（專利權(quán)）人: 精工半導體有限公司
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11127
• 代理人: 李輝,黃綸偉

1.一種基準電壓產(chǎn)生裝置，其特征在于，該基準電壓產(chǎn)生裝置具備：

流過恒定電流的作為電流源發(fā)揮功能的第一導電類型的耗盡型NMOS晶體管；以及

第一導電類型的增強型NMOS晶體管，其進行二極管連接，產(chǎn)生基于所述恒定電流的基準電壓，所述第一導電類型的增強型NMOS晶體管的個數(shù)為1個，

所述耗盡型NMOS晶體管的柵極電極為N型，為埋入溝道，

所述增強型NMOS晶體管的柵極電極為P型，為埋入溝道，

所述增強型NMOS晶體管的柵氧化膜的介電常數(shù)高于所述耗盡型NMOS晶體管的柵氧化膜的介電常數(shù)，使得減小從所述增強型NMOS晶體管的柵極電極向所述埋入溝道施加的電場，通過所述介電常數(shù)的差異，所述增強型NMOS晶體管和所述耗盡型NMOS晶體管具有相同的遷移率。

2.一種基準電壓產(chǎn)生裝置，其特征在于，該基準電壓產(chǎn)生裝置具備：

流過恒定電流的作為電流源發(fā)揮功能的第一導電類型的耗盡型NMOS晶體管；以及

第一導電類型的增強型NMOS晶體管，其進行二極管連接，產(chǎn)生基于所述恒定電流的基準電壓，所述第一導電類型的增強型NMOS晶體管的個數(shù)為1個，

所述耗盡型NMOS晶體管的柵極電極為N型，為埋入溝道，

所述增強型NMOS晶體管的柵極電極為P型，為埋入溝道，

所述增強型NMOS晶體管的柵氧化膜比所述耗盡型NMOS晶體管的柵氧化膜薄，使得減小從所述增強型NMOS晶體管的柵極電極向所述埋入溝道施加的電場，通過所述柵氧化膜的厚度的差異，所述增強型NMOS晶體管和所述耗盡型NMOS晶體管具有相同的遷移率。

3.一種基準電壓產(chǎn)生裝置，其特征在于，該基準電壓產(chǎn)生裝置具備：

流過恒定電流的作為電流源發(fā)揮功能的第一導電類型的耗盡型NMOS晶體管；以及

第一導電類型的增強型NMOS晶體管，其進行二極管連接，產(chǎn)生基于所述恒定電流的基準電壓，所述第一導電類型的增強型NMOS晶體管的個數(shù)為1個，

所述耗盡型NMOS晶體管的柵極電極為N型，為埋入溝道，

所述增強型NMOS晶體管的柵極電極為P型，為埋入溝道，

所述增強型NMOS晶體管的溝道摻雜區(qū)域的主雜質(zhì)的原子半徑小于所述耗盡型NMOS晶體管的溝道摻雜區(qū)域的主雜質(zhì)的原子半徑，使得提高所述增強型NMOS晶體管的遷移率，通過所述原子半徑的差異，所述增強型NMOS晶體管和所述耗盡型NMOS晶體管具有相同的遷移率。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基準電壓產(chǎn)生裝置，其中，

所述增強型NMOS晶體管的溝道摻雜區(qū)域的主雜質(zhì)是磷，

所述耗盡型NMOS晶體管的溝道摻雜區(qū)域的主雜質(zhì)是砷。

5.一種基準電壓產(chǎn)生裝置，其特征在于，該基準電壓產(chǎn)生裝置具備：

流過恒定電流的作為電流源發(fā)揮功能的第一導電類型的耗盡型NMOS晶體管；以及

第一導電類型的增強型NMOS晶體管，其進行二極管連接，產(chǎn)生基于所述恒定電流的基準電壓，所述第一導電類型的增強型NMOS晶體管的個數(shù)為1個，

所述耗盡型NMOS晶體管的柵極電極為N型，為埋入溝道，

所述增強型NMOS晶體管的柵極電極為P型，為埋入溝道，

所述增強型NMOS晶體管的阱的雜質(zhì)濃度比所述耗盡型NMOS晶體管的阱的雜質(zhì)濃度小，使得提高所述增強型NMOS晶體管的遷移率，通過所述阱的雜質(zhì)濃度的差異，所述增強型NMOS晶體管和所述耗盡型NMOS晶體管具有相同的遷移率。