[發明專利]半導體元件及其制造方法與封裝構造

有效

• 申請號: 201310050281.7
• 申請日: 2013-02-08
• 公開（公告）號: CN103165543A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 王盟仁
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

1.一種半導體元件，其特征在于：其包含：

一半導體基材，具有一第一表面、一第二表面及數個導電柱，所述第二表面相對所述第一表面，所述導電柱貫穿所述半導體基材且部分凸出所述第二表面而具有一外露的頂面；

一電路層，設于所述半導體基材的第一表面，并電性連接所述導電柱；

一金屬層，成形于所述導電柱的外露頂面上；以及

一鈍化層，成形于所述半導體基材的第二表面，所述鈍化層為所述金屬層的陽極氧化物。

2.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于：所述半導體基材為一硅基材，所述電路層為一重布線層。

3.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于：所述半導體基材設有至少一有源元件。

4.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于：所述金屬層為鉭，所述鈍化層為五氧化二鉭。

5.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于：所述導電柱的側壁受一絕緣層包覆。

6.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于：所述導電柱凸出所述第二表面的部份包覆有一凸塊下金屬層。

7.一種半導體元件制造方法，其特征在于：其包含下列步驟：

提供一半導體晶圓，其中所述半導體晶圓包含一半導體基材及數個導電柱，所述半導體基材具有一第一表面、一第二表面，所述第二表面相對所述第一表面，所述導電柱貫穿所述半導體基材；

對所述半導體基材的第二表面進行薄化處理，使所述第二表面裸露所述導電柱的一頂面；

對所述半導體基材的第二表面進行蝕刻，使所述導電柱部分凸出于所述第二表面；

成形一金屬層于所述半導體基材的第二表面及所述導電柱的裸露頂面；

對所述半導體基材的第二表面上的金屬層進行陽極氧化工藝，以做為一鈍化層；以及

形成一包覆所述導電柱凸出所述第二表面的部份的凸塊下金屬層。

8.如權利要求7所述的半導體元件制造方法，其特征在于：所述金屬層是通過濺鍍工藝以垂直于所述第二表面的一入射角將金屬粒子沉積在所述半導體基材的第二表面及所述導電柱的裸露頂面。

9.如權利要求7所述的半導體元件制造方法，其特征在于：所述半導體基材的第一表面設有一電路層，所述電路層電性連接所述導電柱；所述導電柱的側壁受一絕緣層包覆；所述金屬層為鉭，所述鈍化層為五氧化二鉭。

10.一種半導體元件封裝構造，其特征在于：其包含：

一封裝基板；

一如權利要求1至6任一項所述的半導體元件，所述半導體元件的電路層電性連接所述封裝基板的一表面上；

一芯片，電性連接凸出所述半導體元件的第二表面的所述導電柱；以及

一封裝膠材，設于所述封裝基板的表面上而包覆所述芯片與所述半導體元件。