[發(fā)明專利]一種雪崩光電探測器和提高雪崩光電探測器高頻特性的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310049958.5
• 申請日: 2013-02-08
• 公開（公告）號: CN103077996A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李彬;韓勤;楊曉紅
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號: H01L31/107
• 分類號: H01L31/107
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種雪崩光電探測器，用于探測目標(biāo)探測光，包括縱向依次排列的吸收層(8)、第一電荷層(61)和倍增層(5)，

所述吸收層(8)用于吸收目標(biāo)探測光，將目標(biāo)探測光的光子轉(zhuǎn)化為光生自由載流子對；

所述第一電荷層(6)用于調(diào)控器件內(nèi)部電場分布；

所述倍增層(5)用于使進(jìn)入其中的自由載流子引發(fā)雪崩倍增效應(yīng)，產(chǎn)生雪崩載流子對；其特征在于：

所述雪崩光電探測器還包括渡越層(9)，所述渡越層(9)與所述吸收層(8)分別位于倍增層(5)的兩側(cè)，所述雪崩載流子對中的一種類型的載流子經(jīng)由所述渡越層(8)縱向漂移至所述雪崩光電探測器的一端。

2.如權(quán)利要求1所述的雪崩光電探測器，其特征在于，所述渡越層的禁帶寬度大于目標(biāo)探測光的光子能量。

3.如權(quán)利要求1所述的雪崩光電探測器，其特征在于，所述雪崩光電探測器還包括第二電荷層(62)，其位于所述倍增層(5)的相對于具有所述第一電荷層(61)的一側(cè)的另一側(cè)，并且其摻雜類型與所述第一電荷層(61)相反。

4.如權(quán)利要求3所述的雪崩光電探測器，其特征在于，所述第二電荷層(62)緊鄰所述倍增層(5)。

5.一種提高雪崩光電探測器高頻特性的方法，所述雪崩光電探測器用于探測目標(biāo)探測光，包括縱向依次排列的吸收層(8)、第一電荷層(61)和倍增層(5)，所述吸收層(8)用于吸收目標(biāo)探測光，將目標(biāo)探測光的光子轉(zhuǎn)化為光生自由載流子對；所述第一電荷層(6)用于調(diào)控器件內(nèi)部電場分布；所述倍增層(5)用于使進(jìn)入其中的自由載流子引發(fā)雪崩倍增效應(yīng)，產(chǎn)生雪崩載流子對；其特征在于，所述方法包括：

提供渡越層(9)，并使所述渡越層(9)與所述吸收層(8)分別位于倍增層(5)的兩側(cè)，當(dāng)所述倍增層(5)產(chǎn)生雪崩載流子時(shí)，使所述雪崩載流子對中的一種類型的載流子經(jīng)由所述渡越層(8)縱向漂移至所述雪崩光電探測器的一端。

6.如權(quán)利要求5所述的提高雪崩光電探測器高頻特性的方法，其特征在于，所述渡越層的禁帶寬度大于目標(biāo)探測光的光子能量。

7.如權(quán)利要求5所述的提高雪崩光電探測器高頻特性的方法，其特征在于，該方法還包括：

在所述倍增層(5)的相對于具有所述第一電荷層(61)的一側(cè)的另一側(cè)提供一第二電荷層(62)，并使其摻雜類型與所述第一電荷層(61)相反。

8.如權(quán)利要求7所述的提高雪崩光電探測器高頻特性的方法，其特征在于，使所述第二電荷層(62)緊鄰所述倍增層(5)。