[發明專利]用于形成空穴注入傳輸層的含過渡金屬的納米粒子及其制造方法

有效

• 申請號: 201310049424.2
• 申請日: 2009-04-28
• 公開（公告）號: CN103107289A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: 上野滋弘;橋本慶介;岡田政人;武誠司;田口洋介;加納正隆;藤本慎也
• 申請（專利權）人: 大日本印刷株式會社
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H05B33/10;H01L51/56
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張寶榮

1.一種用于形成空穴注入傳輸層的含過渡金屬的納米粒子，其特征在于，其是包含至少包括過渡金屬氧化物的過渡金屬化合物及過渡金屬和保護劑的納米粒子，或者是包含至少包括過渡金屬氧化物的過渡金屬化合物和保護劑的納米粒子，

所述含過渡金屬的納米粒子通過在粒子表面附著保護該表面的保護劑而形成，該保護劑是1分子中在有機基團的末端具有1個連結基的結構，所述連結基起到與選自所述過渡金屬和過渡金屬化合物中的至少一種連結的作用，所述有機基團是從下述結構中選擇的一種以上：

碳數為4～30的直鏈或支化的飽和或不飽和烷基，以及

苯、三苯胺、芴、聯苯基、芘、蒽、咔唑、苯基吡啶、三噻吩、苯基噁二唑、苯并三唑、苯并咪唑、苯基三嗪、苯并噻嗪、苯基喹喔啉、亞苯基亞乙烯基、苯基硅雜環戊二烯及這些結構的組合，這些基團不具有取代基或者具有碳數為1～20的直鏈或支化的烷基、鹵原子、碳數為1～20的烷氧基、氰基、硝基作為取代基，并且

所述連結基為選自羥基、磺酸基、磺酰胺基、下述(1a)～(1l)所示的官能團中的1種以上，

式中，Z₁、Z₂及Z₃分別獨立地表示鹵素原子或烷氧基。

2.如權利要求1所述的用于形成空穴注入傳輸層的含過渡金屬的納米粒子，其特征在于，所述含過渡金屬的納米粒子中所含的過渡金屬和過渡金屬化合物中的過渡金屬，是選自鉬、鎢、釩及錸中的至少1種金屬。

3.一種用于形成空穴注入傳輸層的含過渡金屬的納米粒子的制造方法，其特征在于，所述含過渡金屬的納米粒子是包含至少包括過渡金屬氧化物的過渡金屬化合物及過渡金屬和保護劑的納米粒子，或者是包含至少包括過渡金屬氧化物的過渡金屬化合物和保護劑的納米粒子，

該方法具有氧化物工序，氧化物工序是在含有保護劑、以及過渡金屬和過渡金屬化合物中的至少一種的含過渡金屬的納米粒子中，將選自過渡金屬和過渡金屬化合物中的至少一種的至少一部分制成過渡金屬氧化物的工序，

所述含過渡金屬的納米粒子通過在粒子表面附著保護該表面的保護劑而形成，該保護劑是1分子中在有機基團的末端具有1個連結基的結構，所述連結基起到與選自所述過渡金屬及過渡金屬化合物中的至少一種連結的作用，所述有機基團是從下述結構中選擇的一種以上：

碳數為4～30的直鏈或支化的飽和或不飽和烷基，以及

苯、三苯胺、芴、聯苯基、芘、蒽、咔唑、苯基吡啶、三噻吩、苯基噁二唑、苯并三唑、苯并咪唑、苯基三嗪、苯并噻嗪、苯基喹喔啉、亞苯基亞乙烯基、苯基硅雜環戊二烯、及這些結構的組合，這些基團不具有取代基或者具有碳數為1～20的直鏈或支化的烷基、鹵原子、碳數為1～20的烷氧基、氰基、硝基作為取代基，且

所述連結基為選自羥基、磺酸基、磺酰胺基、下述(1a)～(1l)所示的官能團中的1種以上，

式中，Z₁、Z₂及Z₃分別獨立地表示鹵素原子或烷氧基。

4.如權利要求3所述的用于形成空穴注入傳輸層的含過渡金屬的納米粒子的制造方法，其特征在于，所述氧化物工序包含選自加熱工序、光照射工序、使活性氧起作用的工序中的至少一種。

5.如權利要求3或4所述的用于形成空穴注入傳輸層的含過渡金屬的納米粒子的制造方法，其特征在于，所述含過渡金屬的納米粒子中所含的過渡金屬和過渡金屬化合物中的過渡金屬，是選自鉬、鎢、釩及錸中的至少1種金屬。