[發(fā)明專利]固體拍攝裝置以及照相機有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310049235.5 | 申請日: | 2013-02-07 |
| 公開(公告)號: | CN103325801A | 公開(公告)日: | 2013-09-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 井上郁子;馬場雅廣;佐藤英史;菊地治秀 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人: | 周春燕;陳海紅 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 固體 拍攝 裝置 以及 照相機 | ||
相關(guān)申請的交叉引用
本申請基于2012年3月23日提交的日本專利申請2012-067424并要求其優(yōu)先權(quán),該日本專利申請的全部內(nèi)容通過參照的方式包括在此。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實施方式涉及固體拍攝裝置以及照相機。
背景技術(shù)
CCD圖像傳感器和/或CMOS圖像傳感器等固體拍攝裝置以數(shù)字照相機、攝像機或監(jiān)視照相機等多種用途使用。
背面照射型圖像傳感器能夠省去布線那樣對于像素與微透鏡之間的光而言的障礙物。因此,背面照射型圖像傳感器能夠提高像素對入射光的靈敏度,能夠減小光學(xué)陰影。
因此,近年來,正在推進背面照射型圖像傳感器的開發(fā)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的課題在于提供能夠?qū)崿F(xiàn)尺寸的縮小的固體拍攝裝置以及照相機。
實施方式的固體拍攝裝置具備:具有第1面和與所述第1面相對的第2面的半導(dǎo)體基板;覆蓋所述第1面上的元件的絕緣膜;像素陣列,其設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板內(nèi),包括對經(jīng)由所述第2面?zhèn)鹊耐哥R照射的光進行光電轉(zhuǎn)換的像素;在所述半導(dǎo)體基板內(nèi)設(shè)置的多個接觸區(qū)域;1個以上的貫通電極,其在所述多個接觸區(qū)域的各個內(nèi)設(shè)置,從所述第1面向所述第2面貫通;以及多個第1焊盤,其以與所述各接觸區(qū)域相對應(yīng)的方式設(shè)置于所述第2面?zhèn)龋趶乃鼋佑|區(qū)域向所述像素陣列的第1方向延伸。
另一實施方式的照相機包括:上述的固體拍攝裝置;將來自被拍攝體的光會聚于所述固體拍攝裝置的光學(xué)透鏡部;以及對從所述固體拍攝裝置輸出的信號進行處理的信號處理電路。
另外,另一實施方式的固體拍攝裝置包括:具有第1面和與所述第1面相對的第2面的半導(dǎo)體基板;覆蓋所述第1面上的元件的絕緣膜;像素陣列,其設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板內(nèi),包括對經(jīng)由所述第2面?zhèn)鹊耐哥R照射的光進行光電轉(zhuǎn)換的像素;在所述半導(dǎo)體基板內(nèi)設(shè)置的多個接觸區(qū)域;1個以上的貫通電極,其在所述多個接觸區(qū)域的各個內(nèi)設(shè)置,從所述第1面向所述第2面貫通;以及多個第1焊盤,其以與所述各接觸區(qū)域相對應(yīng)的方式設(shè)置于所述第2面?zhèn)龋谠摴腆w拍攝裝置中,根據(jù)對所述多個第1焊盤設(shè)定的電特性,在與所述第1焊盤相對應(yīng)的所述接觸區(qū)域的各個內(nèi)設(shè)置的所述貫通電極的個數(shù)不同。
另外,另一實施方式的固體拍攝裝置包括:具有第1面和與所述第1面相對的第2面的半導(dǎo)體基板;覆蓋所述第1面上的元件的絕緣膜;像素陣列,其設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板內(nèi),包括對經(jīng)由所述第2面?zhèn)鹊耐哥R照射的光進行光電轉(zhuǎn)換的像素;在所述半導(dǎo)體基板內(nèi)設(shè)置的多個接觸區(qū)域;1個以上的貫通電極,其在所述多個接觸區(qū)域的各個內(nèi)設(shè)置,從所述第1面向所述第2面貫通;多個第1焊盤,其以與所述各接觸區(qū)域相對應(yīng)的方式設(shè)置于所述第2面?zhèn)龋谠摴腆w拍攝裝置中,所述第1焊盤的至少1個包括沿著所述第1方向延伸的第1部分和在與所述第1方向相交叉的第2方向從所述第1部分的側(cè)部突出的第2部分,所述第1以及第2方向是相對于所述半導(dǎo)體基板的所述第2面平行的方向。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的固體拍攝裝置以及照相機,能夠?qū)崿F(xiàn)尺寸的縮小。
附圖說明
圖1是表示包括實施方式的固體拍攝裝置的模塊的一例的圖。
圖2是表示包括實施方式的固體拍攝裝置的模塊的一例的圖。
圖3是示意性表示第1實施方式的固體拍攝裝置的結(jié)構(gòu)例的俯視圖。
圖4是示意性表示第1實施方式的固體拍攝裝置的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。
圖5是表示固體拍攝裝置的像素陣列的構(gòu)成例的等價電路圖。
圖6是用于說明第1實施方式的固體拍攝裝置的制造工序的一工序的圖。
圖7是用于說明第1實施方式的固體拍攝裝置的制造工序的一工序的圖。
圖8是用于說明第1實施方式的固體拍攝裝置的制造方法的一工序的圖。
圖9是用于說明第1實施方式的固體拍攝裝置的制造工序的一工序的圖。
圖10是用于說明第1實施方式的固體拍攝裝置的制造工序的一工序的圖。
圖11是用于說明第1實施方式的固體拍攝裝置的制造工序的一工序的圖。
圖12是用于說明第1實施方式的固體拍攝裝置的制造工序的一工序的圖。
圖13是示意性表示第2實施方式的固體拍攝裝置的結(jié)構(gòu)例的俯視圖。
圖14是示意性表示第2實施方式的固體拍攝裝置的結(jié)構(gòu)例的俯視圖。
圖15是示意性表示第3實施方式的固體拍攝裝置的結(jié)構(gòu)例的俯視圖。
圖16是示意性表示第3實施方式的固體拍攝裝置的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。
具體實施方式
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





