[發明專利]電子照相感光體、處理盒及成像裝置

有效

• 申請號: 201310048304.0
• 申請日: 2013-02-06
• 公開（公告）號: CN103376674B
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 齊藤陽平;坂東浩二;山本真也;巖崎真宏;山下敬之;是永次郎;山野裕子
• 申請（專利權）人: 富士施樂株式會社
• 主分類號: G03G5/047
• 分類號: G03G5/047;G03G5/06;G03G21/18;G03G15/00
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 丁業平;常海濤

本發明提供了一種電子照相感光體、處理盒以及成像裝置，其中該電子照相感光體包括：導電基體；以及設置在導電基體上的單層感光層，該單層感光層含有粘結劑樹脂、電荷發生材料、空穴傳輸材料和電子傳輸材料，其中，正充電時的半衰減曝光量小于或等于0.18μJ/cm²，并且負充電時的半衰減曝光量為正充電時的半衰減曝光量的2倍至12倍。通過使用本發明的電子照相感光體，重像得到了抑制。

技術領域

本發明涉及電子照相感光體、處理盒及成像裝置。

背景技術

在相關領域的電子照相成像裝置中，通過充電、曝光、顯影和轉印工序將形成于電子照相感光體的表面上的調色劑圖像轉印至記錄介質。

作為用于這種電子照相成像裝置中的電子照相感光體的感光層，例如，已知使用了單層感光層的構造。

例如，公開了這樣一種電子照相感光體，其至少包括導電性支持體以及形成于該導電性支持體上的感光層，其中，感光層含有電荷發生材料和特定的電荷傳輸材料，并具有雙極性的感光度（bipolar light sensitivity）；E1/2（負）與E1/2（正）的比值（各極性的感光度E1/2（正）與E1/2（負）的比值）為0.5至3.0（例如，參見日本專利文獻JP-A-2007-108671（專利文獻1））。

另外，公開了這樣一種電子照相感光體，其包括導電基體和形成于該導電基體上的感光層，其中，感光層含有作為電荷發生材料的酞菁化合物；并且正充電和負充電時的半衰減曝光量中較大的半衰減曝光量是另一半衰減曝光量的4倍以下（例如，參見日本專利No.3532808（專利文獻2））。

此外，公開了一種單層電子照相感光體，其包括導電基體和形成于該導電基體上的感光層，其中，感光層的粘結劑樹脂中含有作為電荷發生材料的酞菁化合物、空穴傳輸材料和電子傳輸材料；相對于粘結劑樹脂的重量，酞菁化合物的含量為0.1重量%至4重量%；感光層的厚度為10μm至35μm；并且在曝光波長為780nm以及曝光能量為1.0μJ/cm²的條件下經過500毫秒后進行測量時，正極性和負極性的感光度之間差值的絕對值小于或等于500V（例如，參見日本專利No.3748452（專利文獻3））。

另外，公開了一種帶正電的單層型電子照相感光體，其包括導電性支持體和設置于該導電性支持體上的感光層，其中，感光層含有電荷發生材料、空穴傳輸材料、電子傳輸材料和粘結劑樹脂。在電子照相感光體中，在帶電電位的絕對值為800V、曝光波長為780nm、曝光能量為1.0μJ/cm²、曝光時間為500毫秒的條件下曝光并進行測量時，正極性和負極性的感光度的絕對值均小于或等于150V，且正極性的感光度的絕對值大于負極性的感光度的絕對值（例如，參見日本專利文獻JP-A-2010-277042（專利文獻4））。

發明內容

本發明的目的是提供一種電子照相感光體，其中在正充電中在高感光度狀態下的重像得到抑制。

根據本發明的第一方面，提供一種電子照相感光體，其包括：導電基體；以及設置于該導電基體上的單層感光層，該單層感光層含有粘結劑樹脂、電荷發生材料、空穴傳輸材料和電子傳輸材料，其中，正充電時的半衰減曝光量小于或等于0.18μJ/cm²，并且負充電時的半衰減曝光量為所述正充電時的半衰減曝光量的2倍至12倍。

根據本發明的第二方面，在根據第一方面所述的電子照相感光體中，所述正充電時的半衰減曝光量可以小于或等于0.14μJ/cm²。

根據本發明的第三方面，在根據第一方面所述的電子照相感光體中，所述正充電時的半衰減曝光量可以小于或等于0.11μJ/cm²。

根據本發明的第四方面，在根據第一方面所述的電子照相感光體中，所述負充電時的半衰減曝光量可以是正充電時的半衰減曝光量的4倍至10倍。