[發(fā)明專利]電子照相感光體、處理盒及成像裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310048304.0
• 申請(qǐng)日: 2013-02-06
• 公開（公告）號(hào): CN103376674B
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 齊藤陽平;坂東浩二;山本真也;巖崎真宏;山下敬之;是永次郎;山野裕子
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士施樂株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G03G5/047
• 分類號(hào): G03G5/047;G03G5/06;G03G21/18;G03G15/00
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 丁業(yè)平;常海濤

1.一種電子照相感光體，包括：

導(dǎo)電基體；以及

單層感光層，其設(shè)置在所述導(dǎo)電基體上，并且含有粘結(jié)劑樹脂、電荷發(fā)生材料、空穴傳輸材料和電子傳輸材料，

其中所述電荷發(fā)生材料為V型羥基鎵酞菁顏料，并且相對(duì)于所述粘結(jié)劑樹脂的含量，所述電荷發(fā)生材料的含量為3重量％至12重量％，

其中，正充電時(shí)的半衰減曝光量小于或等于0.18μJ/cm¹，并且

負(fù)充電時(shí)的半衰減曝光量為所述正充電時(shí)的半衰減曝光量的2倍至12倍。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光體，

其中，所述正充電時(shí)的半衰減曝光量小于或等于0.14μJ/cm²。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光體，

其中，所述正充電時(shí)的半衰減曝光量小于或等于0.11μJ/cm²。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光體，

其中，所述負(fù)充電時(shí)的半衰減曝光量是所述正充電時(shí)的半衰減曝光量的4倍至10倍。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光體，

其中，所述負(fù)充電時(shí)的半衰減曝光量是所述正充電時(shí)的半衰減曝光量的5倍至9倍。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的電子照相感光體，

其中，所述空穴材料含有由式(1)表示的化合物：

式(1)

其中，在式(1)中，R¹、R²、R³、R⁴、R⁵和R⁶各自獨(dú)立地表示氫原子、低級(jí)烷基、烷氧基、苯氧基、鹵素原子、或者苯基，該苯基可以具有選自低級(jí)烷基、烷氧基和鹵素原子的取代基；m和n各自獨(dú)立地表示0或1。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任意一項(xiàng)所述的電子照相感光體

其中，所述電子傳輸材料含有由式(2)表示的化合物：

其中，在式(2)中，R¹¹、R¹²、R¹³、R¹⁴、R¹⁵、R¹⁶和R¹⁷各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基或芳基；并且R¹⁸表示烷基。

8.一種處理盒，其可從成像裝置上拆卸下來，包括：

根據(jù)權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的電子照相感光體。

9.一種成像裝置，包括：

根據(jù)權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的電子照相感光體；

充電單元，其對(duì)所述電子照相感光體進(jìn)行充電；

靜電潛像形成單元，其在已充電的所述電子照相感光體上形成靜電潛像；

顯影單元，其容納有包含調(diào)色劑的顯影劑，并利用該顯影劑將在所述電子照相感光體上形成的所述靜電潛像顯影，以形成調(diào)色劑圖像；以及

轉(zhuǎn)印單元，其將所述調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印至轉(zhuǎn)印介質(zhì)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的成像裝置，

其中，在位于所述充電單元的沿著所述電子照相感光體的驅(qū)動(dòng)方向的下游且位于所述轉(zhuǎn)印單元的沿著所述電子照相感光體的驅(qū)動(dòng)方向的上游的區(qū)域，所述成像裝置不包括對(duì)所述電子照相感光體的外周面進(jìn)行擦除的擦除單元。

11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的成像裝置，

其中，所述充電單元包括不與所述電子照相感光體的表面接觸而對(duì)其進(jìn)行充電的充電器。