[發明專利]加飾部件

無效

• 申請號: 201310046950.3
• 申請日: 2008-03-07
• 公開（公告）號: CN103132075A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 出云正雄;今泉賢;小川瑞樹;大西寬
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: C23C28/00
• 分類號: C23C28/00;C23C30/00;H01Q1/52
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李今子

本發明是申請號為200880125346.7，申請日為2008年3月7日，發明名稱為“加飾部件”的分案申請。

技術領域

本發明涉及發送接收電磁波的電子設備的框體等中使用的加飾部件。

背景技術

在以往的這種加飾部件中，通過對絕緣材料以導電材料的粒子不相互接觸的方式進行蒸鍍來得到了金屬光澤（例如，專利文獻1）。

專利文獻1:日本特開2003－298326號公報

發明內容

在發送接收電磁波的裝置中，為了在不屏蔽電磁波的情況下充分地確保天線的性能，金屬部件的應用受到了限制。另一方面，為了提高裝置的設計性，尋求呈現金屬光澤的加飾部件。在上述專利文獻1中，通過對絕緣材料以導電材料的粒子不相互接觸的方式進行不連續蒸鍍，由此在裝飾部中得到了金屬光澤。但是，在以往的加飾部件中，在絕緣部的整個面上形成有導電材料以使裝飾部呈現金屬色，但由于在導電材料的內部中流過電流，所以存在照射到裝飾部的電磁波產生損耗，無法得到充分的天線特性的問題。

本發明是為了解決上述問題而完成的，其目的在于提供一種在不屏蔽電磁波的情況下呈現金屬光澤的加飾部件。

在本發明的加飾部件中，在部材的表面形成有半導體層或者半金屬層，該半導體層或者半金屬層的膜厚是5nm以上，該半導體層或者半金屬層在波長400nm～800nm的可視光域中的平均透射率是65%以下并且平均反射率是20%以上。

根據本發明的加飾部件，與如以往那樣使用了導電材料的情況相比，不會遮斷電磁波的透射，作為便攜電話等電子設備的框體，可以在確保金屬光澤的基礎上容易地確保規定的天線特性，并且與以往的不連續蒸鍍相比，在實用上幾乎不存在半導體膜或者半金屬膜的膜厚的限制，所以制造容易且制造成本降低。

附圖說明

圖1是示出本發明的實施方式1的加飾部件的剖面圖。

圖2是說明Ge的透射率特性的圖。

圖3是說明Ge的反射率特性的圖。

圖4是說明Si的透射率特性的圖。

圖5是說明以往的加飾部件的剖面圖。

圖6是說明用于研究電磁波的透射損耗的計算模型的圖。

圖7是說明計算出電磁波的透射損耗的結果的圖。

圖8是示出本發明的實施方式2的加飾部件的剖面圖。

圖9是示出本發明的實施方式3的加飾部件的剖面圖。

符號說明

1：基材；2：半導體層或者半金屬層；3：基底層；4：保護層；5：中間層；40：裝飾部；41：絕緣部；42：導電材料。

實施方式

實施方式1.

圖1是示出本發明的實施方式1的加飾部件的剖面圖，是構成便攜電話框體的圖樣的部件。在基材1的表面形成有半導體層或者半金屬層2。

構成基材1的材料例如是聚碳酸酯樹脂（PC樹脂）、丙烯腈－丁二烯－苯乙烯樹脂（ABS樹脂）、PC樹脂與ABS樹脂的聚合物合金（PC+ABS樹脂）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA樹脂）、以及聚酰胺樹脂（PA樹脂）等樹脂、或者摻合了玻璃纖維等填充劑而得到的樹脂等絕緣體。

另外，作為半導體層或者半金屬層2，作為代表可以舉出鍺Ge、硅Si、阿爾法-錫α-Sn、硒Se、以及碲Te，只要是呈現金屬光澤的材料，就沒有特別限制，但作為不會對電磁波造成影響的范圍，如果半導體或者半金屬的電導率是10³S/m以下則是更優選的。

在此，半金屬是指，雖然呈現金屬性傳導，但與通常的金屬相比電氣電阻更大的元素。在長周期型周期表中，連接硼B與砹At的斜線是金屬與非金屬的邊界線，表示在該邊界線附近的元素（即硼B、碳C、硅Si、磷P、鍺Ge、砷As、硒Se、錫Sn、碲Te、鉍Bi、釙Po、以及砹At）中，去除半導體（Ge、Si、α-Sn、Se、Te）而得到的元素。

例如可以通過真空蒸鍍來形成半導體層或者半金屬層2。舉出形成方法的一個例子。在真空蒸鍍裝置的規定位置設置基材1，作為蒸鍍材料，將粒狀的Ge設置在用鎢形成的絲上。對真空蒸鍍裝置進行真空排氣，在達到了規定的真空度的狀態下，對鎢絲進行通電，使Ge一下子蒸發，并使其堆積到基材1上而形成半導體層或者半金屬層2。這樣的薄膜形成方法是所謂的被稱為閃蒸蒸鍍（flash?deposition）的方法，可以抑制針對基材的熱影響，適合于向樹脂基材形成薄膜。另外，在真空蒸鍍中，還有通過電子束使材料熔融的方法，但一般情況下由于蒸發材料的輻射熱較大，所以在使用不喜歡熱影響的基材的情況下需要較大的真空槽。