[發明專利]超薄化學水浴反應器無效
| 申請號: | 201310045464.X | 申請日: | 2013-04-02 |
| 公開(公告)號: | CN104091852A | 公開(公告)日: | 2014-10-08 |
| 發明(設計)人: | 韓彬 | 申請(專利權)人: | 北京七星華創電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/02 |
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| 地址: | 100016 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 超薄 化學 水浴 反應器 | ||
技術領域
本發明涉及太陽能電池技術領域,具體涉及一種薄膜太陽能電池中的化學水浴沉積鍍膜系統,利用化學方法制備CdS、ZnS、Zn(OH)等薄膜。
背景技術
太陽能是人類取之不盡用之不竭的清潔能源,它不會產生任何環境污染。在太陽能的有效利用中,光伏發電是近些年來發展最快、最具活力的研究領域。太陽能發電在航天、通信及微功耗電子產品領域中已占據不可替代的位置。
目前商業化的太陽能電池主要有單晶硅、多晶硅及薄膜電池,薄膜電池主要包括硅基薄膜、CdTe與CIGS。而薄膜電池由于其成本低、易集成、更容易大面積生產而越來越受到關注。
銅銦鎵硒薄膜太陽能電池具有生產成本低、污染小、不衰退、弱光性能好等顯著特點,光電轉換效率居各種薄膜太陽能電池之首,接近于晶體硅太陽電池,而成本則是晶體硅電池的三分之一,被國際上稱為下一代非常有前途的新型薄膜太陽能電池,是近幾年研究開發的熱點。此外,該電池具有柔和、均勻的黑色外觀,是對于外觀有較高要求場所的理想選擇,如大型建筑物的玻璃幕墻等,在現代化高層建筑等領域也將有很大的市場。
現階段制約太陽能電池發展及推廣的主要因素就是生產成本,而其中生產設備成本則占了相當一部分比例。而在銅銦鎵硒薄膜太陽能電池中的緩沖層(buffer?layer)的制作,普遍使用化學水浴沉積技術(Chemical?Bath?Deposition,CBD)。因而,我們自行發明了一種簡單、方便、節能的裝置,以實現對襯底進行化學水浴鍍膜。
發明內容
本發明的目的在于提供一種化學水浴反應器,本發明反應器結構簡單,使用方便,節約成本,可應用于太陽能電池面板基板的鍍膜工藝,以制備CdS、ZnS或ZnS(OH)薄膜。
如圖1為超薄CBD化學水浴反應器總裝置圖。
如圖2為超薄CBD化學水浴反應器的爆炸圖。
如圖3反應器的下邊框主視圖及左視圖,下邊框中心開一方孔,方孔內側距玻璃邊緣10毫米左右,便于熱量傳輸。上端兩個光孔用于懸掛反應器。沿反應器均勻分布的八個螺紋孔用于安裝蝶形螺栓。四邊對稱安裝的四根定位柱用于定位樣片。
如圖4反應器的硅膠墊主視圖及左視圖,硅膠墊根據樣片尺寸自行裁剪,要求與樣品尺寸相同,中心孔洞可根據電池情況調節,但硅膠墊不宜過薄過窄,以免液體滲出。
如圖5為反應器的儲液槽主視圖及左視圖,儲液槽由2根框條①、1根框條②和1根框條④、6個引流管焊接而成。
如圖6為反應器的儲液槽所用框條①主視圖及俯視圖,框條①為沒有任何開孔的不銹鋼條。
如圖7為反應器的儲液槽所用框條②主視圖及俯視圖,框條②的寬度和厚度與框條①相同,沿側面開有4個通孔。
如圖8為反應器的儲液槽所用框條④主視圖及俯視圖,框條④外形尺寸與框條②相同,只是沿側面開有2個通孔。
如圖9為反應器的儲液槽所用不銹鋼引流管剖視圖。上部兩個引流管作為排氣管;下部4個引流管,其中一個作為注液管(也可作為排液管),另外3個作為排液管。
如圖10為反應器的上邊框主視圖及左視圖,上邊框為一中心開孔的正方形鋼板,該鋼板上共有十二個光孔,其中四個與下邊框上的定位柱對應,用于定位,另外八個與下邊框上的螺紋孔對應,用于蝶形螺栓穿過。
附圖說明
通過附圖中所示的本發明的更具體說明,本發明的上述及其它目的、特征和優勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同的部分。并未刻意按比例繪制附圖,重點在于示出本發明的主旨。
圖1為超薄CBD化學水浴反應器總裝置圖;
圖2為超薄CBD化學水浴反應器的爆炸圖;
圖3反應器下邊框主視圖及左視圖;
圖4硅膠墊主視圖及左視圖;
圖5儲液槽主視圖及左視圖;
圖6框條①主視圖及俯視圖;
圖7框條②主視圖及俯視圖;
圖8框條④主視圖及俯視圖;
圖9引流管剖視圖;
圖10上邊框主視圖及左視圖;
其中,所述示意圖是說明性的,而非限制性的,在此不能過度限制本發明的保護范圍。
具體實施方式
反應器安裝:CBD反應器裝配順序(由下至上)(如圖2所示):下邊框-硅膠墊-玻璃/樣片(膜朝上)-硅膠墊-儲液槽-硅膠墊-玻璃/樣片(膜朝下)-硅膠墊-上邊框-安裝蝶形螺栓,這樣,兩片玻璃/樣片與硅膠墊、儲液槽共同形成一個密閉空間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





