[發明專利]超薄化學水浴反應器無效
| 申請號: | 201310045464.X | 申請日: | 2013-04-02 |
| 公開(公告)號: | CN104091852A | 公開(公告)日: | 2014-10-08 |
| 發明(設計)人: | 韓彬 | 申請(專利權)人: | 北京七星華創電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100016 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 超薄 化學 水浴 反應器 | ||
【權利要求書】:
1.一種超薄化學水浴反應器(圖1、圖2),應用于薄膜太陽能電池的制備工藝中;其特征在于包含多個實體:中心開孔的長方形鋼板作為下邊框;四張中心開孔的硅膠墊;帶有多個導流管的儲液槽;中心開孔的正方形鋼板作為上邊框;蝶形螺栓。
2.根據權力要求1所述的下邊框,其特征在于,所述下邊框中心開一方孔,上端有兩個光孔,沿反應器邊緣均勻分布八個螺紋孔,四邊對稱安裝四根定位柱。
3.根據權力要求1所述的儲液槽,其特征在于,所述儲液槽由多根框條焊接而成,并且在框條上連接多根引流管。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





