[發明專利]非易失性存儲器件、非易失性存儲系統、及其編程方法無效
| 申請號: | 201310044113.7 | 申請日: | 2013-02-04 |
| 公開(公告)號: | CN103325417A | 公開(公告)日: | 2013-09-25 |
| 發明(設計)人: | 南尚完;樸晸塤 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | G11C16/10 | 分類號: | G11C16/10;G11C16/24;G11C16/08 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 侯廣 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 非易失性存儲器 非易失性 存儲系統 及其 編程 方法 | ||
對相關申請的交叉引用
本發明要求于2012年3月23日向韓國特許廳提交的韓國專利申請No.10-2012-0029738的優先權,通過引用將其全部內容合并于此。
技術領域
這里描述的發明構思涉及半導體存儲器件,而且更具體地,涉及非易失性存儲器件、非易失性存儲系統、及其編程方法。
背景技術
半導體存儲器件可以是易失性的和非易失性的。易失性半導體存儲器件可以以高速執行讀和寫操作,而其中存儲的內容可以在斷電時丟失。非易失性半導體存儲器件即便在斷電時也可以保持其中存儲的內容。非易失性半導體存儲器件可以用來存儲不管它們是否被供電都必須保持的內容。
非易失性半導體存儲器件可以包括掩模只讀存儲器(MROM)、可編程ROM(PROM)、可擦除可編程ROM(EPROM)、電可擦可編程ROM(EEPROM)等。
閃速存儲器件可以代表非易失性半導體存儲器件。閃速存儲器件可以被廣泛地用作諸如計算機、蜂窩電話機、PDA、數字相機、攝像機、錄音機、MP3播放器、手持PC、游戲機、傳真機、掃描儀、打印機等的信息設備的語音和圖像數據存儲介質。
近些年,已經研究具有三維堆疊的存儲單元(memory?cell)的半導體存儲器件以改善半導體存儲器件的集成度。
發明內容
本發明構思的示例實施例提供一種用于編程非易失性存儲器件的方法,該非易失性器件包括以多個頁部分為單位編程的多電平單元。該編程方法包括:選擇非易失性存儲器件的諸如存儲器塊、子塊、和超級塊的存儲器單元;以及根據其中交替地選擇行的交替編程方式編程所述存儲器單元中的包括LSB頁部分的至少兩個頁部分。
本發明構思的示例實施例還提供一種在包括多電平存儲單元的非易失性存儲器件中編程寫數據的方法。該方法包括:根據其中交替地選擇行的交替編程方式在選擇的存儲器單元的第一頁部分和第二頁部分處編程寫數據的一部分;以及根據其中順序地選擇行的順序編程方式在所述存儲器單元的第三頁部分處編程寫數據的剩余部分。
本發明構思的示例實施例還提供一種在包括多電平存儲單元的非易失性存儲器件中編程寫數據的方法。該方法包括:根據其中交替地選擇行的交替編程方式在選擇的存儲器單元的第一頁部分、第二頁部分、和第三頁部分處編程寫數據的一部分;以及根據其中順序地選擇行的順序編程方式在所述存儲器單元的第四頁部分處編程寫數據的剩余部分。
本發明構思的示例實施例還提供一種非易失性存儲器件,包括:存儲單元陣列,包括將要以多個頁為單位編程的多電平存儲單元;頁緩沖器,連接到該存儲單元陣列的位線;行譯碼器,經由字線和選擇線連接到該存儲單元陣列;以及控制邏輯,被配置為控制該頁緩沖器或該行譯碼器在包括在選擇的存儲器單元中的多個頁部分處編程數據。當寫數據小于所述選擇的存儲器單元的存儲容量時,在所述多個頁部分的除了至少一個頁部分之外的剩余頁部分處編程寫數據的一部分。
本發明構思的示例實施例還提供一種存儲器系統,包括:非易失性存儲器件,包括以多個頁部分為單位編程的多電平存儲單元;以及存儲器控制器,被配置為選擇該非易失性存儲器件的存儲器單元用于編程寫數據。該存儲器控制器被配置為控制該非易失性存儲器件根據部分交替編程模式和完全交替編程方式之一編程寫數據,在部分交替編程模式中,根據交替地選擇行的交替編程方式編程所述存儲器單元的一些頁部分,在完全交替編程方式中,根據交替編程方式編程所述存儲器單元的所有頁部分。
本發明構思的示例實施例還提供一種用于編程非易失性存儲器件的方法,該非易失性存儲器件包括沿多個行布置的存儲單元。該編程方法包括:交替地選擇字線以在與所述存儲單元相關聯的第一頁部分和第二頁部分處編程數據;以及在第一頁部分和第二頁部分被填充之后,根據布置字線的次序在與所述存儲單元相關聯的第三頁部分處編程數據。
本發明構思的示例實施例還提供一種用于編程非易失性存儲器件的方法,該非易失性存儲器件包括沿多個行布置的存儲單元。該編程方法包括:根據布置字線的次序在與所述存儲單元相關聯的第一頁部分處編程數據;以及在第一頁部分被填充之后,交替地選擇字線以在與所述存儲單元相關聯的第二頁部分和第三頁部分處編程數據。
本發明構思的示例實施例還提供一種用于編程非易失性存儲器件的方法,該非易失性存儲器件包括多個行,每個行具有多個頁部分,在頁部分中,以頁為單位寫入數據。該編程方法包括:以第一加擾方式選擇每個行的頁部分的至少兩個頁部分以編程該至少兩個頁部分;以及以其中根據布置次序順序地選擇多個行的第二加擾方式編程每個行的頁部分的另一個頁部分。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星電子株式會社,未經三星電子株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310044113.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:多用鞋柜
- 下一篇:一種可以減少香煙煙霧擴散的煙管





