[發明專利]非易失性存儲器件、非易失性存儲系統、及其編程方法

無效

• 申請號: 201310044113.7
• 申請日: 2013-02-04
• 公開（公告）號: CN103325417A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 南尚完;樸晸塤
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/24;G11C16/08
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 侯廣

1.一種用于編程非易失性存儲器單元的方法，該非易失性存儲器單元包括與多條字線相關聯的多電平存儲單元，該方法包括：

以交替的次序選擇所述字線用于在與所選擇的字線相關聯的第一頁部分和第二頁部分處編程第一數據；

根據所述交替的次序在與所選擇的字線相關聯的第一頁部分和第二頁部分處編程第一數據；

以順序的次序選擇所述字線用于在與所選擇的字線相關聯的第三頁部分處編程第二數據；以及

根據所述順序的次序在與所選擇的字線相關聯的第三頁部分處編程第二數據。

2.如權利要求1所述的方法，其中以順序的次序選擇所述字線進一步包括：

從鄰近于地選擇線的字線開始逐一選擇所述字線。

3.如權利要求1所述的方法，其中第一頁部分和第三頁部分之一對應于多電平存儲單元的LSB頁部分。

4.如權利要求1所述的方法，其中該非易失性存儲器單元包括存儲器塊，并且其中該存儲器塊是擦除單位。

5.一種用于編程非易失性存儲器單元的方法，該非易失性存儲器單元包括與多條字線相關聯的多電平存儲單元，該方法包括：

以交替的次序選擇所述字線用于編程第一數據；

根據所述交替的次序在所選擇的字線的低頁處編程第一數據；

以順序的次序選擇所述字線用于編程第二數據；以及

根據所述順序的次序在所選擇的字線的高頁處編程第二數據。

6.如權利要求5所述的方法，其中以順序的次序選擇所述字線進一步包括：從鄰近于地選擇線的字線開始逐一選擇所述字線。

7.如權利要求5所述的方法，其中該非易失性存儲器單元包括存儲器塊，并且其中該存儲器塊是擦除單位。

8.一種用于編程非易失性存儲器件的方法，該非易失性存儲器件包括與多條字線相關聯的多電平存儲單元，該方法包括：

從控制器接收第一地址序列中的第一地址；

根據第一地址序列編程與所述多條字線當中的所選擇的第一多條字線相關聯的至少兩個頁部分；

從控制器接收第二地址序列中的第二地址；以及

根據第二地址序列編程與所述多條字線當中的所選擇的第二多條字線相關聯的另一個頁部分。

9.如權利要求8所述的方法，其中第一地址序列包括其中在至少一條低字線的至少一個高比特之前編程至少一條高字線的至少一個低比特的序列。

10.如權利要求8所述的方法，進一步包括：在根據第一地址序列編程所述至少兩個頁部分之后，根據第二地址序列編程所述另一個頁部分。

11.如權利要求8所述的方法，進一步包括：在根據第一地址序列編程所述至少兩個頁部分之前，根據第二地址序列編程所述另一個頁部分。

12.如權利要求8所述的方法，進一步包括：在使用第二地址序列的編程操作期間，在與所述多條字線之一相關聯的至少兩個頁部分中同時編程數據。

13.一種非易失性存儲器件，包括：

存儲單元陣列，包括將要以頁為單位編程的多電平單元；

頁緩沖器，連接到該存儲單元陣列的位線；

行譯碼器，經由字線連接到該存儲單元陣列；以及

控制邏輯，被配置為控制該頁緩沖器和該行譯碼器在選擇的存儲器單元中的多個頁部分處編程數據，

其中，當寫數據小于所述選擇的存儲器單元的存儲容量時，該控制邏輯被配置為控制該頁緩沖器和該行譯碼器按照第一加擾方式編程所述多個頁部分中的至少兩個頁部分并且按照第二加擾方式編程所述多個頁部分中的至少另一個頁部分。

14.如權利要求13所述的非易失性存儲器件，其中所述至少另一個頁部分對應于MSB頁部分或LSB頁部分。

15.如權利要求13所述的非易失性存儲器件，其中第一加擾方式是其中交替地選擇所述字線以編程所述至少兩個頁部分的方式。

16.如權利要求13所述的非易失性存儲器件，其中當所述寫數據等于所述選擇的存儲器單元的存儲容量時，該控制邏輯被配置為控制該頁緩沖器或該行譯碼器根據第一加擾方式和第二加擾方式之一在所述多個頁部分處編程所述寫數據。