[發(fā)明專利]偏振光的檢測(cè)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310042255.X | 申請(qǐng)日: | 2013-02-04 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103968948A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-08-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉軍庫(kù);李關(guān)紅;李群慶;范守善 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01J4/04 | 分類號(hào): | G01J4/04 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 100084 北京市海淀區(qū)清*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 偏振光 檢測(cè) 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種偏振光的檢測(cè)方法。
背景技術(shù)
偏振光的檢測(cè)需要有特定的偏振光檢測(cè)系統(tǒng)來(lái)執(zhí)行,一般的偏振光檢測(cè)系統(tǒng)包括一光敏電阻、一設(shè)置于該光敏電阻前的偏振片、一電源及一檢測(cè)裝置。利用所述偏振片可識(shí)別待測(cè)光的偏振信息,利用所述光敏電阻可探測(cè)待測(cè)光的強(qiáng)度和分布等信息。
由于需要設(shè)置額外的偏振片,因此,一般的偏振光檢測(cè)方法都較為繁雜,檢測(cè)效率較低。
另外,為了獲得高的靈敏度,一般的光敏電阻的電極常采用梳狀圖案,它是在一定的掩膜下向光敏材料薄膜的同一表面上蒸鍍金、銅、鋁等金屬形成的。然而,由于這個(gè)金屬電極本身不透光,光線只能通過(guò)梳狀金屬電極之間的空隙照射到光敏材料上,所述電極之間的空隙狹小,即該光敏電阻的受光面積較小,透光率較差,因此,對(duì)于微弱光探測(cè)的靈敏度不高。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,確有必要提供一種偏振光的檢測(cè)方法,該方法不僅簡(jiǎn)單易操作,可提高檢測(cè)效率,還可用于微弱光的探測(cè)。
一種偏振光的檢測(cè)方法,其包括以下具體步驟:
S1,提供一偏振光檢測(cè)系統(tǒng),其包括一光敏電阻、一電源及一檢測(cè)裝置,所述光敏電阻、電源和檢測(cè)裝置通過(guò)導(dǎo)線電連接形成一電流回路,所述光敏電阻包括一第一電極層和一光敏材料層,所述檢測(cè)裝置包括一電流檢測(cè)元件及一計(jì)算機(jī)分析系統(tǒng);
S2,將一待測(cè)光照射到所述光敏電阻的第一電極層的表面;
S3,利用所述光敏電阻對(duì)該待測(cè)光進(jìn)行偏振識(shí)別;
S4,利用所述電流檢測(cè)元件檢測(cè)步驟S3中的電流變化;以及
S5,利用所述計(jì)算機(jī)分析系統(tǒng)分析得到該待測(cè)光的偏振信息。
進(jìn)一步地,所述光敏電阻包括一第二電極層,所述第一電極層、光敏材料層和第二電極層層疊設(shè)置,構(gòu)成一三明治結(jié)構(gòu),所述第一電極層和第二電極層分別設(shè)置于所述光敏材料層相對(duì)的兩個(gè)表面上,且分別與所述光敏材料層電接觸。
進(jìn)一步地,所述第一電極層包括一第一碳納米管薄膜結(jié)構(gòu),所述第一碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)包括多個(gè)均勻分布的碳納米管,所述多個(gè)碳納米管沿同一方向擇優(yōu)取向排列。
相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明所提供的偏振光的檢測(cè)方法具有以下優(yōu)點(diǎn):其一,由于所述光敏電阻的第一電極層中的碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)具有各向異性的特點(diǎn),即,所述第一電極層既具有電極的作用,又具有偏振片的作用,因此,本發(fā)明的檢測(cè)方法不需要用到額外的偏振片,具有操作方便,高效的特點(diǎn);其二,由于所述光敏電阻的第一電極層中的碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)具有較高的透光率,因此,可以提高光敏電阻的靈敏度,即,本發(fā)明的檢測(cè)方法可用于微弱光的探測(cè)。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明提供的光敏電阻的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為圖1的光敏電阻中第一種碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)的爆破圖。
圖3為圖1的光敏電阻中第二種碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)的爆破圖。
圖4為圖1的光敏電阻中單層碳納米管拉膜的掃描電鏡照片。
圖5為圖1的光敏電阻應(yīng)用于偏振光檢測(cè)系統(tǒng)的示意圖。
圖6為利用圖5的偏振光檢測(cè)系統(tǒng)對(duì)偏振光進(jìn)行檢測(cè)的方法流程圖。
主要元件符號(hào)說(shuō)明
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