[發明專利]一種銅鋅錫硫薄膜的共電沉積制備方法

無效

• 申請號: 201310040588.9
• 申請日: 2013-02-03
• 公開（公告）號: CN103060861A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 向勇;張海濤;謝夢;張庶
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: C25D3/58
• 分類號: C25D3/58;C23C8/62
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種銅鋅錫硫薄膜的共電沉積制備方法，其特征是，其步驟包括：1）將含銅、鋅、錫三種金屬陽離子的鹽和絡合物溶解于水中；2）使用三電極法將陰極、陽極分別與導電襯底、惰性陽極連接，同時將參比電極置于溶液中且不與陰陽極連通；3）打開電源，采用固定電位共沉積銅、鋅、錫三種金屬；4）取出沉積的前驅體將其干燥；5）將前驅體通過熱處理得到銅鋅錫硫薄膜。

2.根據權利要求1所述的一種銅鋅錫硫薄膜的共電沉積制備方法，其特征是，步驟1中銅、鋅、錫三種金屬陽離子濃度范圍為10mM～1M。

3.根據權利要求1所述的一種銅鋅錫硫薄膜的共電沉積制備方法，其特征是，步驟1中的絡合物為檸檬酸鹽、酒石酸、酒石酸鹽、焦磷酸鹽中的一種或幾種。

4.根據權利要求1所述的一種銅鋅錫硫薄膜的共電沉積制備方法，其特征是，步驟1中的絡合物濃度范圍為0mol/L～5mol/L。

5.根據權利要求1所述的一種銅鋅錫硫薄膜的共電沉積制備方法，其特征是，步驟2的導電襯底為不銹鋼、ITO或鍍有導電層的絕緣材料中的一種。

6.根據權利要求1所述的一種銅鋅錫硫薄膜的共電沉積制備方法，其特征是，步驟2的惰性陽極為鉑或者石墨。

7.根據權利要求1所述的一種銅鋅錫硫薄膜的共電沉積制備方法，其特征是，步驟4中的干燥方法為烘干、吹干或自然干燥。

8.根據權利要求1所述的一種銅鋅錫硫薄膜的共電沉積制備方法，其特征是，步驟5中的熱處理過程中采用的氣體是氦氣、氬氣、氮氣、硫氣、硫化氫中的一種或幾種。

9.根據權利要求1所述的一種銅鋅錫硫薄膜的共電沉積制備方法，其特征是，步驟5中的熱處理時間范圍為1分鐘～24小時。