[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201310039199.4
• 申請日: 2013-01-31
• 公開（公告）號: CN103972421A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;黃輝;陳吉星
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 生啟;何平

1.一種有機電致發光器件，其特征在于，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發光層、第一電子傳輸層、電荷產生層、第二空穴傳輸層、第二發光層、第二電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述電荷產生層包括層疊于所述第一電子傳輸層表面的第一摻雜層及形成于所述第一摻雜層表面的第二摻雜層；所述第一摻雜層的材料包括金屬及摻雜在所述金屬中的銫鹽，所述金屬選自鈣、鎂、鐿及鍶中的至少一種，所述銫鹽選自碳酸銫、氟化銫及疊氮銫中的至少一種，所述第一摻雜層中所述銫鹽與所述金屬的質量比為1:20~3:10；所述第二摻雜層的材料包括金屬氧化物及摻雜在所述金屬氧化物中的酞菁化合物，所述金屬氧化物選自三氧化鉬、三氧化鎢及五氧化二釩中的至少一種，所述酞菁化合物選自酞菁銅、酞菁鋅及酞菁鎂中的至少一種，所述第二摻雜層中所述酞菁化合物與所述金屬氧化物的質量比為1:20~1:2。

2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述第一摻雜層的厚度為2nm~20nm，所述第二摻雜層的厚度為10nm~40nm。

3.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述第一發光層及所述第二發光層的材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述第一空穴傳輸層及所述第二空穴傳輸層的材料選自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述第一電子傳輸層及所述第二電子傳輸層的材料選自4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種。

6.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在陽極表面依次蒸鍍制備空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發光層及第一電子傳輸層；

在所述第一電子傳輸層表面蒸鍍制備第一摻雜層，所述第一摻雜層的材料包括金屬及摻雜在所述金屬中的銫鹽，所述金屬選自鈣、鎂、鐿及鍶中的至少一種，所述銫鹽選自碳酸銫、氟化銫及疊氮銫中的至少一種，所述第一摻雜層中所述銫鹽與所述金屬的質量比為1:20~3:10，所述金屬及所述銫鹽分別在兩個蒸發舟中進行蒸發，蒸鍍在真空壓力為5×10^-3~2×10^-4Pa下進行，所述金屬的蒸鍍速率為1nm/s~10nm/s，所述銫鹽的蒸鍍速率為0.1nm/s~1nm/s；

在所述第一摻雜層表面蒸鍍制備第二摻雜層，所述第二摻雜層的材料包括金屬氧化物及摻雜在所述金屬氧化物中的酞菁化合物，所述金屬氧化物選自三氧化鉬、三氧化鎢及五氧化二釩中的至少一種，所述酞菁化合物選自酞菁銅、酞菁鋅及酞菁鎂中的至少一種，所述第二摻雜層中所述酞菁化合物與所述金屬氧化物的質量比為1:20~1:2，所述金屬氧化物及所述酞菁化合物分別在兩個蒸發舟中進行蒸發，蒸鍍在真空壓力為5×10^-3~2×10^-4Pa下進行，所述金屬氧化物的蒸鍍速率為1nm/s~10nm/s，所述酞菁化合物的蒸鍍速率為1nm/s~10nm/s；及

在第二摻雜層表面依次蒸鍍形成第二空穴傳輸層、第二發光層、第二電子傳輸層、電子注入層及陰極。

7.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述第一發光層及所述第二發光層的材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。

8.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述第一空穴傳輸層及所述第二空穴傳輸層的材料選自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺中的至少一種。