[發明專利]接觸孔插塞的制造方法

有效

• 申請號: 201310038698.1
• 申請日: 2013-01-31
• 公開（公告）號: CN103972153A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 陳盈豪;楊崇銘;涂世升;廖春成
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

1.一種接觸孔插塞的制造方法，其特征是，所述接觸孔插塞的制造方法包括下列步驟：

提供一半導體基板，其中設置有沿一第一方向延伸的多個隔絕物，且其中所述半導體基板具有沿一第二方向延伸的多個電晶體結構；

全面性沉積一導電犧牲層；

于所述導電犧牲層上形成多個硬遮罩圖案，所述多個硬遮罩圖案沿所述第一方向和所述第二方向排列成一陣列；

使用一第一蝕刻氣體，進行一第一非等向性蝕刻工藝，移除未被所述多個硬遮罩圖案覆蓋的部分所述導電犧牲層，直到所述多個電晶體結構頂部的氧化保護層暴露出來為止；

使用一第二蝕刻氣體，進行一第二非等向性蝕刻工藝，移除未被所述多個硬遮罩圖案覆蓋的部分所述導電犧牲層，以形成多個導電犧牲圖案，其中所述多個導電犧牲圖案的多個底部彼此相連；

進行一氧化工藝，以分別于所述多個導電犧牲圖案的側壁上形成多個氧化保護層；

使用一第三蝕刻氣體，進行一第三非等向性蝕刻工藝，從未被所述多個硬遮罩圖案覆蓋的所述多個導電犧牲圖案的多個側壁和所述多個底面上移除部分所述多個氧化保護層以及部分所述多個導電犧牲圖案；以及

使用一第四蝕刻氣體，進行一第四非等向性蝕刻工藝，移除未被所述多個硬遮罩圖案覆蓋的所述多個導電犧牲圖案的彼此相連的所述多個底部，以形成彼此分離的多個導電犧牲柱。

2.如權利要求1所述的接觸孔插塞的制造方法，其特征是，所述導電犧牲層的材質為多晶硅，且所述多個硬遮罩圖案的材質為氮化硅。

3.如權利要求1所述的接觸孔插塞的制造方法，其特征是，所述導電犧牲層上具有一原生氧化物，且進行所述第一非等向性蝕刻工藝之前更包括：

使用一第五蝕刻氣體，進行一第五非等向性蝕刻工藝，移除未被所述多個硬遮罩圖案覆蓋的該原生氧化物。

4.如權利要求1所述的接觸孔插塞的制造方法，其特征是，進行所述第三非等向性蝕刻工藝之前的所述多個導電犧牲圖案靠近所述多個底部的第一部分的寬度大于靠近所述多個硬遮罩圖案的第二部分的寬度。

5.如權利要求4所述的接觸孔插塞的制造方法，其特征是，所述多個氧化保護層靠近所述多個硬遮罩圖案的第三部分的厚度大于所述多個氧化保護層靠近所述多個導電犧牲圖案的所述多個底部的第四部分的厚度。

6.如權利要求1所述的接觸孔插塞的制造方法，其特征是，進行所述第三非等向性蝕刻工藝之后，所述多個導電犧牲圖案的所述多個底部和靠近所述多個底部的部分所述多個側壁是從所述多個氧化保護層暴露出來。

7.如權利要求1所述的接觸孔插塞的制造方法，其特征是，所述多個導電犧牲柱的高寬比大于或等于7：1。

8.如權利要求1所述的接觸孔插塞的制造方法，其特征是，所述接觸孔插塞的制造方法更包括：

全面性填入一介電材料，并使所述介電材料的一頂面與所述多個硬遮罩圖案的頂面共平面；

移除所述多個硬遮罩圖案和所述多個導電犧牲柱，以形成多個接觸孔開口；以及

于所述多個接觸孔開口中填入一導電材料，以形成多個接觸孔插塞。