[發明專利]半導體裝置的制造方法以及半導體裝置有效
| 申請號: | 201310037414.7 | 申請日: | 2013-01-31 |
| 公開(公告)號: | CN103515246A | 公開(公告)日: | 2014-01-15 |
| 發明(設計)人: | 坂本健 | 申請(專利權)人: | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/31;H01L23/495;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;張天舒 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 制造 方法 以及 | ||
技術領域
本發明涉及考慮了樹脂毛刺(burr)的半導體裝置的制造方法以及半導體裝置。
背景技術
在制造功率半導體的封裝時,需要配合封裝的設計圖進行引線成形(lead?forming)(彎曲加工)。在專利文獻1以及專利文獻2中公開了進行彎曲加工的技術(以下,現有技術A)。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開平6–232309號公報;
專利文獻2:日本特開平6–283642號公報。
發明要解決的課題
然而,在現有技術A中,在未考慮半導體封裝的產生樹脂毛刺的區域的情況下進行引線成形(彎曲加工)。因此,在現有技術A中存在如下問題:在引線成形時,由于引線的彎曲應力導致容易產生樹脂毛刺掉落的現象。
掉落的樹脂毛刺例如作為生產線內的異物而成為產品、裝置故障增大的原因。此外,例如,在樹脂毛刺掉落到與散熱片(fin)的接合面的情況下,與散熱片的緊貼性劣化,散熱性降低,產品的可靠性降低。即,在引線成形(彎曲加工)中,樹脂毛刺的掉落是大問題。
發明內容
本發明是為了解決這樣的問題而完成的,其目的在于提供一種能防止在彎曲加工時的樹脂毛刺掉落的半導體裝置的制造方法等。
用于解決課題的方案
為了達到上述目的,本發明的一個方式的半導體裝置的制造方法包含:利用樹脂對引線框的內部引線進行密封的工序;以及對彎曲對象區域進行彎曲加工的工序,該彎曲對象區域為被所述引線框包含的端子中的成為彎曲加工的對象的區域并且為不對由所述密封的工序產生的樹脂毛刺施加由彎曲加工產生的應力的區域。
發明效果
本發明的半導體裝置的制造方法包含:利用樹脂對引線框的內部引線進行密封的工序以及對彎曲對象區域進行彎曲加工的工序,該彎曲對象區域為不對由密封的工序產生的樹脂毛刺施加由彎曲加工產生的應力的區域。
由此,在彎曲加工時不對樹脂毛刺施加應力,因此,能防止樹脂毛刺掉落。因此,能防止在彎曲加工時的樹脂毛刺的掉落。
附圖說明
圖1是實施方式1的半導體裝置的概觀圖。
圖2是示出實施方式1的半導體裝置的內部構造的圖。
圖3是半導體制造處理的流程圖。
圖4是用于說明彎曲加工的圖。
圖5是用于具體說明彎曲加工的圖。
圖6是示出彎曲加工中的彎曲軸的位置的圖。
圖7是用于說明彎曲加工的圖。
圖8是示出彎曲加工中的彎曲軸的位置的圖。
圖9是示出實施方式2的彎曲加工中的彎曲軸的位置的圖。
圖10是用于說明實施方式3的彎曲加工的圖。
圖11是用于說明凹凸形狀的圖。
圖12是用于對作為比較例的半導體裝置的制造方法的彎曲加工的問題進行說明的圖。
具體實施方式
以下,參照附圖對本發明的實施方式進行說明。在以下的說明中,對相同的結構要素標注相同的附圖標記。它們的名稱和功能也相同。因此,存在省略對它們的詳細說明的情況。
再有,在實施方式中所例示的各結構要素的尺寸、材質、形狀、它們的相對配置等根據應用了本發明的裝置的結構、各種條件來適當地進行變更,本發明不限定于這些例示。此外,存在各圖中的各結構要素的尺寸與實際尺寸不同的情況。
<比較例>
以下,對作為比較例的半導體裝置的制造方法進行說明。
圖12是用于對作為比較例的半導體裝置的制造方法的彎曲加工的問題進行說明的圖。圖12(a)是表示在進行彎曲加工之前的端子9的狀態的圖。圖12(b)是表示在進行彎曲加工時的端子9的狀態的圖。
在圖12(a)中,在由密封工序生成的封裝8的周圍產生樹脂毛刺3。因此,當在未考慮產生樹脂毛刺3的區域的情況下對端子9進行彎曲加工時,像圖12(b)那樣,樹脂毛刺3裂開,樹脂毛刺3掉落。
<實施方式1>
在本實施方式中,解決在上述比較例中敘述的上述問題。
圖1是實施方式1的半導體裝置100的概觀圖(外形圖)。半導體裝置100是功率半導體。再有,半導體裝置100不限定于功率半導體,也可以是其它用途的半導體。
此外,圖1示出在進行了后述的密封工序之后并且在進行后述的切斷工序之前的半導體裝置100的結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





