[發明專利]一種錫硅分子篩及其制備方法

有效

• 申請號: 201310036574.X
• 申請日: 2013-01-30
• 公開（公告）號: CN103964461A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 史春風;朱斌;林民
• 申請（專利權）人: 中國石油化工股份有限公司;中國石油化工股份有限公司石油化工科學研究院
• 主分類號: C01B39/08
• 分類號: C01B39/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種錫硅分子篩，其特征在于，含有硅元素、錫元素和氧元素，全部或部分晶粒內部具有空穴或空腔結構，且總比表面積≥300m²/g，外比表面積占總比表面積的比例≥10%。

2.按照權利要求1的錫硅分子篩，其外比表面積≥35m²/g。

3.按照權利要求1或2的錫硅分子篩，其中，所說的總比表面積為310～600m²/g，外比表面積為35～100m²/g，且外比表面積占總比表面積的比例為10～25%。

4.按照權利要求1或2的錫硅分子篩，其XRD圖譜中的2θ在0.5°～9°處有衍射峰；在FT-IR圖譜中的460cm^-1、975cm^-1、800cm^-1、1080cm^-1附近有吸收；在UV-Vis圖譜中的200～300nm處有吸收。

5.按照權利要求1或2的錫硅分子篩，其中，錫元素與硅元素的質量比為0.05～10:100。

6.按照權利要求1的錫硅分子篩，其在25℃、P/P₀＝0.10、吸附時間1小時的條件下測得的苯吸附量為至少35mg/g。

7.按照權利要求1的錫硅分子篩，其低溫氮吸附的吸附等溫線和脫附等溫線之間存在滯后環。

8.按照權利要求1的錫硅分子篩，其在相對壓力P/P₀＝0.60時的脫附時氮吸附量與吸附時氮吸附量差值大于其吸附時氮吸附量的2%。

9.按照權利要求1的錫硅分子篩，其晶粒內部具有空穴或空腔結構的晶粒占全部晶粒的50%～100%。

10.按照權利要求1的錫硅分子篩，其晶粒內部空腔部分的徑向長度為0.5～300nm。

11.按照權利要求1的錫硅分子篩，其特征在于該材料晶粒內部的空腔部分的形狀選自矩形、圓形和不規則多邊形中的一種或者幾種的結合。

12.按照權利要求1的錫硅分子篩，其特征在于該材料晶粒為單個晶粒或者由多個晶粒聚集成的聚集晶粒。

13.一種制備錫硅分子篩的方法，其特征在于該方法包括：

（1）將錫源與硅分子篩固相混合均勻得到錫源與硅分子篩的混合物；

（2）向步驟（1）所說的錫源與硅分子篩的混合物中加入模板劑溶液；

（3）將上述步驟（2）得到的混合物轉入反應釜中在水熱晶化條件下進行水熱處理，其中反應釜中含有在反應條件下形成飽和水蒸氣且與分子篩的重量比小于1.2的水量，硅分子篩的處理量為至少10克/升反應釜，回收產物得到錫硅分子篩。

14.按照權利要求13的方法，其中，所說的將錫源與硅分子篩固相混合的條件包括：混合的溫度為20～80℃，混合的時間為1～240min。

15.按照權利要求13的方法，其中，所說的硅分子篩為選自MFI、MEL、BEA、MWW、二維六方結構、MOR、TUN結構硅分子篩中的至少一種。

16.按照權利要求13的方法，其中，所說的硅分子篩和錫源的用量使得制備得到的錫硅分子篩中錫元素與硅元素的質量比為0.05～10:100。

17.按照權利要求13的方法，其中，所說的硅分子篩、模板劑、錫源與水的用量摩爾比為100:1～15:0.1～8:2～50，硅分子篩以SiO₂計，錫源以錫元素計。

18.按照權利要求13的方法，其中，所說的水熱晶化條件包括：在密閉條件下處理的溫度為80～200℃，時間為6～96h。

19.按照權利要求13～17中任意一項的方法，其中，所說的錫源為無機錫化合物或有機錫化合物的一種或多種。

20.按照權利要求19的方法，其中，所說的錫源為氯化錫、五水氯化錫、硝酸錫、硫酸錫、磷酸錫、乙酸錫中的至少一種。

21.按照權利要求13的方法，其中，所說的模板劑為四烷基氫氧化銨、醇胺和烷基胺中的一種或多種。