[發明專利]一種納米晶復合涂層的制備方法

無效

• 申請號: 201310036558.0
• 申請日: 2013-01-31
• 公開（公告）號: CN103074589A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 王浪平;王宇航;王翔;余忠
• 申請（專利權）人: 蘇州格科特真空鍍膜技術有限公司
• 主分類號: C23C14/48
• 分類號: C23C14/48;C23C14/06
• 代理公司: 張家港市高松專利事務所(普通合伙) 32209
• 代理人: 孫高

1.一種納米晶復合涂層的制備方法，通過等離子體浸沒離子注入與沉積法制備納米晶復合涂層，其具體步驟為：

1)真空室內抽真空至壓力＜1×10^-2Pa；

2）通過Ti陰極和SiAl陰極的陰極弧放電產生Ti、Si、Al等離子體；Ti陰極的脈沖放電電流為60-140A，脈沖持續時間為1-4ms，頻率為1-500Hz；SiAl陰極的脈沖放電電流為60-140A，脈沖持續時間為1-4ms，頻率為1-500Hz；

3）真空室內通入N₂和C₂H₂，N₂流量為10-50sccm，C₂H₂流量為10-50sccm，氣壓調整至0.1-1Pa；

4）通過偏壓吸引Ti、Si、Al離子，與吸附在試件表面的氮、碳和氫的氣體分子及原子發生反應，合成得到納米晶復合涂層；所述偏壓幅值為1-50kV，脈沖持續時間100±5us，脈沖頻率100±5Hz。

2.根據權利要求1所述的一種納米晶復合涂層的制備方法，其特征在于：所述Ti陰極中Ti的純度≥99.9Wt.%。

3.根據權利要求1所述的一種納米晶復合涂層的制備方法，其特征在于：所述SiAl陰極中Si含量為70±1Wt.%。

4.根據權利要求1所述的一種納米晶復合涂層的制備方法，其特征在于：所述的N₂純度≥99.99Wt.%；所述的C₂H₂純度≥99.99Wt.%。