[發明專利]發光二極管封裝的固晶方法和固晶結構

無效

• 申請號: 201310036408.X
• 申請日: 2013-01-30
• 公開（公告）號: CN103887404A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 莊東漢;林建憲;蘇胤淳;黃萌祺
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 曹玲柱

1.一種固晶方法，其特征在于，包括有：

形成具有透光特性的一黏著層于一發光二極管芯片的一襯底的一表面上；

形成一第一金屬層于該黏著層上；

形成一第二金屬層于該封裝襯底上；

形成至少一第三金屬層于該第一金屬層和該第二金屬層中至少一個上，其中該至少一第三金屬層的熔點低于該第一金屬層和該第二金屬層的熔點；

使該第一金屬層、該第二金屬層與該至少一第三金屬層彼此堆疊，以使該發光二極管芯片和該封裝襯底結合；以及

將相結合的該發光二極管芯片和該封裝襯底進行加熱，使該至少一第三金屬層擴散至該第一金屬層和該第二金屬層而分別形成一金屬化合層。

2.根據權利要求1所述的固晶方法，其中該第一金屬層的材料為銀、鋁或包含銀或鋁元素的合金，該第一金屬層的厚度為0.1至10微米。

3.根據權利要求1所述的固晶方法，其中該第二金屬層的材料為銀、銅、鎳或包含銀、銅或鎳元素的合金，該第二金屬層的厚度為0.1至10微米。

4.根據權利要求1所述的固晶方法，其中該至少一第三金屬層的材料為鉍或銦或錫或包含鉍、銦、錫元素的合金，該第三金屬層的厚度為1至20微米。

5.根據權利要求1所述的固晶方法，其中該發光二極管芯片的該襯底為一藍寶石襯底、一硅襯底或一碳化硅襯底。

6.根據權利要求1所述的固晶方法，其中該黏著層為金屬薄膜或金屬氧化物薄膜，該黏著層的厚度為10納米至1微米。

7.根據權利要求1所述的固晶方法，其中該黏著層的材料為鋁、氧化鋁。

8.根據權利要求1所述的固晶方法，其中該封裝襯底的材料為銀、銅、鎳化鐵、鋁、氮化鋁，或者該封裝襯底為銅或銀的一引腳架。

9.一種固晶結構，其特征在于，包括有：

一黏著層，具有透光特性且形成于一發光二極管芯片的一襯底的一表面上；

一第一金屬層，形成于該黏著層上；

一第二金屬層，形成于一封裝襯底上；以及

多個金屬化合層，形成于該第一金屬層和該第二金屬層之間；

其中，該些金屬化合層是在該固晶結構加熱時，由形成于該第一金屬層和該第二金屬層中至少一個上的至少一第三金屬層擴散至該第一金屬層和該第二金屬層而分別形成，該至少一第三金屬層的熔點低于該第一金屬層和該第二金屬層的熔點。

10.根據權利要求9所述的固晶結構，其中該第一金屬層的材料為銀、鋁或包含銀或鋁元素的合金，該第一金屬層的厚度為0.1至10微米。

11.根據權利要求9所述的固晶結構，其中該第二金屬層的材料為銀、銅、鎳或包含銀、銅或鎳元素的合金，其中該第二金屬層的厚度為0.1至10微米。

12.根據權利要求9所述的固晶結構，其中該至少一第三金屬層的材料為鉍、銦、錫或包含鉍、銦或錫元素的合金，其中該第三金屬層的厚度為1至20微米。

13.根據權利要求9所述的固晶結構，其中該發光二極管芯片的該襯底為藍寶石襯底、硅襯底或碳化硅襯底。

14.根據權利要求9所述的固晶結構，其中該黏著層為金屬薄膜或金屬氧化物薄膜，其中該黏著層的厚度為10納米至1微米。

15.根據權利要求9所述的固晶結構，其中該黏著層的材料為鋁或氧化鋁。

16.根據權利要求9所述的固晶結構，其中該封裝襯底的材料為銀、銅、鎳化鐵、鋁、氮化鋁，或者該封裝襯底為銅或銀的一引腳架。

17.一種發光二極管封裝，其特征在于，包含根據權利要求9的該發光二極管芯片、該封裝襯底和該固晶結構，該發光二極管芯片通過該固晶結構與該封裝襯底結合。