[發明專利]一種半導體器件的終止結構有效
| 申請號： | 201310033999.5 | 申請日： | 2011-02-15 |
| 公開（公告）號： | CN103151379A | 公開（公告）日： | 2013-06-12 |
| 發明（設計）人： | 管靈鵬;安荷·叭剌;朱廷剛;馬督兒·博德 | 申請（專利權）人： | 萬國半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 美國加利福尼亞州94*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 終止 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一個半導體器件的終止結構，其特征在于，包括：
一個通道停止場板，位于半導體材料的邊緣附近的半導體材料的表面上，其中通道停止場板利用半導體材料構成一個肖特基型停止通道。
2.如權利要求1所述的半導體器件的終止結構，其特征在于，通道停止場板的金屬部分連接到半導體材料的輕摻雜部分。
3.如權利要求1所述的半導體器件的終止結構，其特征在于，終止結構形成在一個含有半導體器件的晶片上，其中所述的半導體器件為一個MOSFET。
4.如權利要求1所述的半導體器件的終止結構，其特征在于，終止結構形成在一個含有半導體器件的晶片上，其中所述的半導體器件為一個超級結器件。
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