[發明專利]一種雙鋁墊結構及其實現方法

無效

• 申請號: 201310033082.5
• 申請日: 2013-01-29
• 公開（公告）號: CN103107155A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: 林良飛
• 申請（專利權）人: 福州瑞芯微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 福州市鼓樓區京華專利事務所(普通合伙) 35212
• 代理人: 宋連梅

1.一種雙鋁墊結構，其特征在于：包括第一鋁墊、保護層、第二鋁墊，所述保護層設于所述第一鋁墊的上方，且形成一開窗，所述開窗的截面為倒梯形，所述第二鋁墊設有一凹槽，所述第二鋁墊設于所述開窗內，且與所述第一鋁墊和保護層緊密結合。?

2.根據權利要求1所述的一種雙鋁墊結構，其特征在于：所述凹槽開口的寬度大于所述凹槽下底面寬度?。

3.一種雙鋁墊結構的實現方法，其特征在于：所述雙鋁墊結構應用于芯片封裝，在晶圓上設置第一鋁墊，所述第一鋁墊上方設有保護層，且第一鋁墊與保護層形成一開窗，所述開窗的截面為倒梯形，該實現方法具體包括如下步驟：?

步驟1、通過金屬濺射方法在第一鋁墊上鍍上一鋁層，所述鋁層的厚度根據需要設定，所述鋁層設有一凹槽，所述凹槽的截面為倒梯形；?

步驟2、在所述鋁層上加一光阻層，所述光阻層厚度根據需要設定；所述光阻層由第一光阻層和第二光阻層組成，所述第一光阻層為需要保留的光阻層，所述第二光阻層為不需要保留的光阻層；?

步驟3在所述光阻層上設置一光罩，所述光罩對應于第一光阻層的部分涂以黑色的掩蔽層，所述光罩對應于第二光阻層的部分為透明；以一光源照射所述光阻層，所述第一光阻層不發生化學反應，所述第二光阻層發生化學反應；?

步驟4、去除所述光罩，將經過光照的晶圓放入顯影液，所述第二光阻層被顯影液洗掉，洗掉后，位于所述第二光阻層下的鋁層裸露出來；?

步驟5、通過蝕刻工藝將所述裸露出來的鋁層蝕刻去；?

步驟6、用酸性液體將所述第一光阻層去掉，所述酸性液體不與所述保護層以及所述第一光阻層下的鋁層反應；?

步驟7、將所述第一光阻層下的鋁層與所述保護層和第一鋁墊緊密結合，將所述第一光阻層下的鋁層定義為第二鋁墊，通過第二鋁墊來擴大焊接面?積，再通過引線鍵合將引線的焊球焊在所述第二鋁墊上，從而使引線的焊球能夠與所述第二鋁墊緊固結合。?

4.根據權利要求3所述的一種雙鋁墊結構的實現方法，其特征在于：所述步驟6中的酸性液體是：硫酸，雙氧水，氨水和水的混合液體。?