[發明專利]一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法

有效

• 申請號: 201310031368.X
• 申請日: 2013-01-28
• 公開（公告）號: CN103107140A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: 李凡;董向丹
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L27/12;H01L23/50
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;安利霞

1.一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

S11，在襯底基板上依次形成柵線圖形，柵絕緣層，有源層圖形，源、漏電極及數據線圖形，鈍化層圖形；

S12，在形成有所述鈍化層的襯底基板上形成透明導電薄膜，由一次構圖工藝形成包括像素電極、公共電極的圖形，其中，所述像素電極與所述漏電極連接。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S11包括：

S111，提供一襯底基板；

S112，在所述襯底基板上形成金屬薄膜，由構圖工藝形成柵線的圖形；

S113，在完成步驟S112的襯底基板上形成柵絕緣層；

S114，在所述柵絕緣層上形成半導體薄膜，由構圖工藝形成包括位于柵絕緣層上的有源層的圖形；

S115，在完成步驟S114的襯底基板上形成數據金屬層薄膜，由構圖工藝對所述數據金屬層薄膜進行處理，形成位于所述有源層上的源電極、漏電極的圖形，并形成數據線的圖形；

S116，在完成步驟S115的襯底基板上形成鈍化層，由構圖工藝形成所述鈍化層上的過孔。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S112包括：

在所述襯底基板上形成金屬薄膜；

利用掩模板通過構圖工藝對所述金屬薄膜進行處理，形成柵線的圖形。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S114包括：

在所述柵絕緣層上形成半導體薄膜；

采用掩模板通過構圖工藝對所述半導體薄膜進行處理，形成包括位于柵絕緣層上的有源層圖形。

5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S115包括：

在所述有源層上形成數據金屬層薄膜；

采用掩模板通過構圖工藝對所述數據金屬層薄膜進行處理，形成位于所述有源層上的源電極、漏電極的圖形，并形成數據線的圖形。

6.根據權利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S116包括：

在露出的所述柵絕緣層上、所述源電極上、所述漏電極上形成鈍化層；

由掩模板的構圖工藝形成相對于像素區域的貫穿所述鈍化層的過孔以及漏電極區域的貫穿所述鈍化層的過孔，并漏出所述柵絕緣層。

7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S12包括：

在完成步驟S11的鈍化層上形成透明導電薄膜；

采用掩模板通過構圖工藝對所述透明導電薄膜進行處理，形成包括像素電極、公共電極的圖形；

利用刻蝕工藝將所述公共電極與所述像素電極刻蝕斷開。

8.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，還包括：

S13，利用平坦化層或者樹脂層將步驟S12完成的襯底基板上的空隙填平。

9.根據權利要求8所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，還包括：

S14，在步驟S13完成的襯底基板上涂覆摩擦取向層。

10.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為按照如權利要求1－9任一項所述的方法制作而成。