[發(fā)明專利]單層ITO的布線結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310030434.1 | 申請日: | 2013-01-28 |
| 公開(公告)號: | CN103092422A | 公開(公告)日: | 2013-05-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 何麗;樊永召;金莉 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州瀚瑞微電子有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/041 | 分類號: | G06F3/041 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215163 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 單層 ito 布線 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種單層ITO的布線結(jié)構(gòu),其包括若干個第一感應(yīng)電極和第二感應(yīng)電極,所述第一感應(yīng)電極在行方向上對應(yīng)相連,所述第二感應(yīng)電極在列方向上對應(yīng)相連,其特征在于:所述第二感應(yīng)電極嵌套在所述第一感應(yīng)電極內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的單層ITO的布線結(jié)構(gòu),其特征在于:所述第一感應(yīng)電極為環(huán)形,設(shè)有開口。
3.如權(quán)利要求1或2所述的單層ITO的布線結(jié)構(gòu),其特征在于:所述第一感應(yīng)電極由頂邊、底邊以及兩個側(cè)邊圍成的環(huán)形。
4.如權(quán)利要求3所述的單層ITO的布線結(jié)構(gòu),其特征在于:所述第一感應(yīng)電極的相對的頂邊和底邊為鋸齒狀。
5.如權(quán)利要求3所述的單層ITO的布線結(jié)構(gòu),其特征在于:所述第二感應(yīng)電極與所述第一感應(yīng)電極的頂邊和底邊相對的邊緣對應(yīng)為鋸齒狀,與所述第一感應(yīng)電極的頂邊和底邊嚙合。
6.如權(quán)利要求3所述的單層ITO的布線結(jié)構(gòu),其特征在于:所述第一感應(yīng)電極的頂邊和底邊均自內(nèi)側(cè)邊緣向內(nèi)凹陷形成第一凹槽。
7.如權(quán)利要求6所述的單層ITO的布線結(jié)構(gòu),其特征在于:所述第二感應(yīng)電極具有與所述第一凹槽相對應(yīng)的凸塊。
8.如權(quán)利要求6所述的單層ITO的布線結(jié)構(gòu),其特征在于:所述第一凹槽自底部到頂部的寬度不同。
9.如權(quán)利要求6所述的單層ITO的布線結(jié)構(gòu),其特征在于:所述第一凹槽的形狀為三角形或者梯形。
10.如權(quán)利要求6所述的單層ITO的布線結(jié)構(gòu),其特征在于:所述第一感應(yīng)電極的頂邊和底邊均自外側(cè)邊緣向內(nèi)凹陷形成第二凹槽。
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