[發明專利]一種調控n型SiC單晶低維納米材料摻雜濃度的方法有效
| 申請號： | 201310027870.3 | 申請日： | 2013-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN103352253A | 公開（公告）日： | 2013-10-16 |
| 發明（設計）人： | 高鳳梅;賀支青;王霖;楊為佑 | 申請（專利權）人： | 寧波工程學院 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B1/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 315211 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 調控 sic 單晶低維 納米 材料 摻雜 濃度 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種調控n型SiC單晶低維納米材料摻雜濃度的方法，其包括以下具體步驟：
1)催化劑引入：將C紙浸泡在一定濃度的催化劑無水乙醇溶液中，自然晾干備用；
2)高溫熱解：將液態有機前驅體聚硅氮烷置于石墨坩堝中，然后將含有催化劑的C紙置于石墨坩堝頂部，置于氣氛燒結爐中于5％N2和95％Ar氣(體積比)的混合保護氣氛下熱解一定時間；
3)摻雜濃度調控：通過控制熱解溫度，實現N原子在催化劑液滴中溶解度的控制，進而實現n型SiC單晶低維納米材料N摻雜濃度的調控。
2.根據權利要求1所述的調控n型SiC單晶低維納米材料摻雜濃度的方法，其特征在于：所述步驟(3)中為通過控制熱解溫度來實現SiC單晶低維納米材料摻雜濃度的調控與設計。
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