[發明專利]半導體存儲器件

有效

• 申請號: 201310027791.2
• 申請日: 2013-01-24
• 公開（公告）號: CN103632709B
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發明（設計）人: 金珍兒
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C11/4063
• 分類號: G11C11/4063
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;周曉雨

本發明公開了一種半導體存儲器件，所述半導體存儲器件包括（部分地）：第一數據I/O塊和第二數據I/O塊。在寫入操作期間，第一數據I/O塊將經由第一焊盤供應的輸入數據傳送第一全局I/O線，并且還產生寫入內部信號。第二數據I/O塊響應于監控使能信號而將寫入內部信號傳送到第二焊盤。在讀取操作期間，第一數據I/O塊將數據從第一全局I/O線供應到第一焊盤，并且還產生讀取內部信號。第二數據I/O塊響應于監控使能信號而將讀取內部信號傳送到第二焊盤。

相關申請的交叉引用

本申請要求2012年8月20日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2012-0090934的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

本發明的實施例涉及一種半導體存儲器件。

背景技術

計算機系統或電子通信系統隨著存儲容量的增加和這些系統中所使用的半導體存儲器件的更低的制造成本而繼續進步。具體地，半導體存儲器件的高集成密度可以帶來半導體存儲器件的大容量數據存儲。半導體存儲器件（例如動態隨機存取存儲（DRAM）器件）可以被配置成包括沿著行和列排列成彼此相交叉的多個字線和多個位線，并且多個存儲器單元可以設置在字線和位線的相應的交叉點處。DRAM器件的每個存儲器單元可以被配置成包括單個單元晶體管和單個電容器，并且DRAM器件的存儲器單元可以構成一個或更多個存儲器單元塊。在下文中簡要地描述DRAM器件的操作。

如果互補的（例如，反相的）行地址選通（/RAS）信號在激活操作期間被使能，則可以將經由行地址緩沖器供應的行地址信號譯碼，以執行在單元塊中選擇一個字線的行譯碼操作。在這種情況下，如果與選中的字線電連接的存儲器單元中的數據被加載到包括位線和互補位線的位線對上，則可以將通知感測放大器操作的時間點的信號使能，以驅動被行地址信號選中的單元塊的感測放大器驅動電路。另外，感測放大器的偏置電位可以被感測放大器驅動電路改變成核心電位（Vcore）或接地電位（Vss），并且感測放大器可以操作。如果感測放大器操作，則可以將位線電位和互補位線電位之間的小電位差放大成具有大電位差。

隨后，如果執行讀取操作，則可以將由感測放大器放大的至少一個位線數據經由被列地址信號選中并導通的列傳送晶體管傳送到輸入/輸出（I/O）線。此外，如果執行寫入操作，則可以將經由I/O線供應的數據經由被列地址信號選中并導通的列傳送晶體管加載到位線上，并且可以將位線上的數據經由被選中的字線導通的至少一個單元晶體管儲存在存儲器單元中。

如上所述，半導體存儲器件可以在寫入模式中操作以將數據儲存在存儲器單元中，或者在讀取操作中操作以讀取儲存在存儲器單元中的數據。當執行寫入操作和讀取操作時，可以在半導體存儲器件中產生多個內部信號。

發明內容

示例性實施例針對一種半導體存儲器件。

根據一些實施例，一種半導體存儲器件包括：第一數據I/O塊和第二數據I/O塊。第一數據I/O塊執行寫入操作以將經由第一焊盤供應的第一輸入數據傳送到第一全局I/O線，并且還產生寫入內部信號。第二數據I/O塊響應于監控使能信號而將寫入內部信號傳送到第二焊盤。

根據另一些實施例，一種半導體存儲器件包括：第一數據I/O塊和第二數據I/O塊。第一數據I/O塊執行讀取操作，由此將第一全局I/O線上的數據供應到第一焊盤。第一數據I/O塊在讀取操作期間產生讀取內部信號。第二數據I/O塊響應于監控使能信號而將讀取內部信號傳送到第二焊盤。