[發明專利]半導體存儲器件有效
| 申請號: | 201310027791.2 | 申請日: | 2013-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN103632709B | 公開(公告)日: | 2018-06-01 |
| 發明(設計)人: | 金珍兒 | 申請(專利權)人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號: | G11C11/4063 | 分類號: | G11C11/4063 |
| 代理公司: | 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;周曉雨 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 內部信號 焊盤 半導體存儲器件 第一數據 數據I/O 讀取 全局I/O線 使能信號 寫入 讀取操作期間 寫入操作期間 響應 監控 傳送 | ||
1.一種半導體存儲器件,包括:
第一數據I/O塊,所述第一數據I/O塊被配置成執行寫入操作以將第一輸入數據從第一焊盤傳送到第一全局I/O線,所述第一數據I/O塊還被配置成在所述寫入操作期間產生寫入內部信號;以及
第二數據I/O塊,所述第二數據I/O塊被配置成響應于監控使能信號而將所述寫入內部信號傳送到第二焊盤,
其中,所述第一數據I/O塊包括:
輸入緩沖器,所述輸入緩沖器被配置成在所述寫入操作期間緩沖從所述第一焊盤接收的所述第一輸入數據,并且供應第一內部輸入數據;以及
寫入路徑單元,所述寫入路徑單元被配置成響應于所述第一內部輸入數據而驅動所述第一全局I/O線,所述寫入路徑單元還被配置成產生所述寫入內部信號。
2.如權利要求1所述的半導體存儲器件,其中,所述第二數據I/O塊包括:
監控信號發生器,所述監控信號發生器被配置成緩沖所述寫入內部信號,并且響應于所述監控使能信號而產生監控信號;以及
輸出單元,所述輸出單元被配置成響應于所述監控使能信號而將所述監控信號傳送到所述第二焊盤。
3.如權利要求2所述的半導體存儲器件,其中,所述監控信號發生器被配置成:當所述監控使能信號被使能時,產生用于中斷經由所述第二焊盤供應第二輸入數據的緩沖操作的緩沖關斷信號。
4.如權利要求3所述的半導體存儲器件,其中,所述輸出單元包括:
內部數據發送器,所述內部數據發送器被配置成:當所述監控使能信號被禁止并且所述第二數據I/O塊在讀取模式中操作時,與內部時鐘同步地將內部輸出數據傳送到內部節點;以及
監控信號發送器,所述監控信號發送器被配置成:當所述監控使能信號被使能時,將所述監控信號傳送到所述內部節點。
5.如權利要求4所述的半導體存儲器件,其中,所述輸出單元還包括:
鎖存器單元,所述鎖存器單元被配置成鎖存所述內部節點上的信號;以及
輸出驅動器,所述輸出驅動器被配置成響應于鎖存的所述信號而產生輸出數據。
6.如權利要求1所述的半導體存儲器件,其中,所述第二數據I/O塊被配置成執行將第二全局I/O線的數據輸出到所述第二焊盤的讀取操作,所述第二數據I/O塊還被配置成輸出在所述讀取操作期間產生的讀取內部信號。
7.如權利要求6所述的半導體存儲器件,其中,所述第二數據I/O塊包括:
讀取路徑單元,所述讀取路徑單元被配置成在所述讀取操作期間從所述第二全局I/O線接收內部輸出數據,以及輸出所述讀取內部信號作為響應;以及
輸出單元,所述輸出單元被配置成:當所述監控使能信號被禁止時,響應于內部時鐘而將所述內部輸出數據傳送到所述第二焊盤。
8.如權利要求6所述的半導體存儲器件,其中,所述第一數據I/O塊被配置成響應于所述監控使能信號而將所述讀取內部信號傳送到所述第一焊盤。
9.如權利要求8所述的半導體存儲器件,其中,所述第一數據I/O塊包括:
監控信號發生器,所述監控信號發生器被配置成響應于所述監控使能信號而緩沖所述讀取內部信號以產生監控信號;以及
輸出單元,所述輸出單元被配置成響應于所述監控使能信號而將所述監控信號傳送到所述第一焊盤。
10.如權利要求9所述的半導體存儲器件,其中,所述輸出單元包括:
內部數據發送器,所述內部數據發送器被配置成:當所述監控使能信號被禁止并且所述第一數據I/O塊在讀取模式中操作時,與內部時鐘同步地將內部輸出數據傳送到內部節點;以及
監控信號發送器,所述監控信號發送器被配置成:當所述監控使能信號被使能時,將所述監控信號傳送到所述內部節點。
11.如權利要求10所述的半導體存儲器件,其中,所述輸出單元還包括:
鎖存器單元,所述鎖存器單元被配置成鎖存所述內部節點的信號;以及
輸出驅動器,所述輸出驅動器被配置成響應于鎖存的所述信號而產生輸出數據。
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