[發(fā)明專(zhuān)利]一種半導(dǎo)體器件的制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310023827.X
• 申請(qǐng)日: 2013-01-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103943501A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 隋運(yùn)奇;孟曉瑩;韓秋華
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/336
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/336
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)；

在所述半導(dǎo)體襯底的源/漏區(qū)中形成碗狀凹槽；

依次執(zhí)行一濕法清洗過(guò)程、一蝕刻后處理過(guò)程和一表面清洗過(guò)程，所述蝕刻后處理過(guò)程包括先后執(zhí)行的高溫?zé)嵬嘶疬^(guò)程和氫氣還原處理過(guò)程；

蝕刻所述碗狀凹槽，以形成∑狀凹槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成碗狀凹槽的過(guò)程包括：先對(duì)所述半導(dǎo)體襯底的源/漏區(qū)進(jìn)行第一蝕刻以形成凹槽，然后對(duì)所述凹槽進(jìn)行第二蝕刻。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一蝕刻為采用干法蝕刻工藝的縱向蝕刻。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二蝕刻為采用干法蝕刻工藝的各向同性蝕刻。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述濕法清洗的清洗液為氨水、雙氧水和水的混合物以及稀釋的氫氟酸的組合或者氨水、雙氧水和水的混合物、臭氧水以及稀釋的氫氟酸的組合。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述高溫?zé)嵬嘶鸢ǜ邷貭t熱退火、快速熱退火、峰值退火或者激光退火。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述高溫?zé)嵬嘶鸬臏囟葹?00-450℃，時(shí)間為10-25s。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述氫氣還原處理的功率為100-500W，偏壓為0V，壓力為10-35torr。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述氫氣還原處理的還原氣體為氫氣、氫氣和氮?dú)獾幕旌衔锘蛘叩獨(dú)夂鸵谎趸嫉幕旌衔铩?/p>

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述表面清洗的清洗液為稀釋的氫氟酸。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述蝕刻為濕法蝕刻。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述濕法蝕刻的腐蝕液為四甲基氫氧化銨溶液。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括依次層疊的柵極介電層、柵極材料層和柵極硬掩蔽層。