[發明專利]一種薄膜晶體管和陣列基板的制作方法

無效

• 申請號: 201310020495.X
• 申請日: 2013-01-21
• 公開（公告）號: CN103117224A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 倪水濱;王振
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種薄膜晶體管和陣列基板的制作方法。

背景技術

以IGZO(Indium?Gallium?Zinc?Oxide，銦鎵鋅氧化物)為代表的氧化物半導體由于其具有電子遷移率高、均一性好等特點，已被廣泛應用于液晶顯示領域，是制作TFT(Thin?Film?Transistor，薄膜場效應晶體管)中溝道的材料。

現有的氧化物半導體薄膜晶體管，例如IGZO-TFT(Indium?Gallium?Zinc?0xide-Thin?Film?Transistor，銦鎵鋅-薄膜晶體管)陣列基板的制作過程為：在基板上依次形成的柵金屬層、柵絕緣層、IGZO半導體層、阻擋層、源漏金屬層、鈍化層、像素電極層。其中，柵金屬層、IGZO半導體層、阻擋層、源漏金屬層、鈍化層、像素電極層在形成過程中分別要經過一次沉積、光阻涂布、曝光、顯影、刻蝕、剝離以形成各自的薄膜，即要經過六次曝光才能形成IGZO-TFT陣列基板。其構圖工藝的次數多、周期長。

發明內容

本發明的實施例提供一種薄膜晶體管和陣列基板的制作方法，所述方法可以減少薄膜晶體管和陣列基板制作過程中構圖工藝的次數。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

本發明實施例提供了一種薄膜晶體管的制作方法，包括：在襯底基板上形成柵極、柵絕緣層、氧化物半導體層、阻擋層以及源漏極，形成所述氧化物半導體層、阻擋層包括：

依次形成氧化物半導體薄膜和阻擋薄膜；

利用一次構圖工藝，將所述氧化物半導體薄膜形成為所述氧化物半導體層，將所述阻擋薄膜形成為所述阻擋層。

可選的，所述利用一次構圖工藝，形成氧化物半導體層和阻擋層包括：

在形成有氧化物半導體薄膜和阻擋薄膜的基板上，涂布光刻膠；

利用多色調掩膜板對所述光刻膠進行曝光，再對曝光后的光刻膠進行顯影，顯影后形成光刻膠完全保留區域、光刻膠部分保留區域和光刻膠完全去除區域；其中，所述光刻膠完全保留區域對應所述薄膜晶體管的溝道區域，所述光刻膠部分保留區域對應待形成氧化物半導體層的區域中除所述溝道區域之外的區域，其他區域的光刻膠完全去除；

去除位于光刻膠完全去除區域的氧化物半導體薄膜和阻擋薄膜；

對所述光刻膠完全保留區域和所述光刻膠部分保留區域進行灰化處理，去除所述光刻膠部分保留區域；

去除光刻膠部分保留區域的阻擋薄膜；

將剩下的光刻膠剝離。

可選的，所述多色調掩膜板包括：全透光區域、半透光區域和不透光區域；

所述光刻膠為正性光刻膠，所述多色調掩膜板的不透光區域對應所述光刻膠完全保留區域，所述半透光區域對應所述光刻膠部分保留區域，所述全透光區域對應的光刻膠被完全去除；或者，

所述光刻膠為負性光刻膠，所述多色調掩膜板的全透光區域對應所述光刻膠完全保留區域，所述半透光區域對應所述光刻膠部分保留區域，所述不透光區域對應的光刻膠被完全去除。

可選的，所述多色調掩膜板包括：掩膜基板和半透光膜；

所述掩膜基板包括：全透光部分和不透光部分，其中所述全透光部分對應所述全透光區域和所述半透光區域，所述不透光部分對應所述不透光區域；

所述半透光膜貼附在所述掩膜基板上，對應所述半透光區域。

可選的，在襯底基板上形成所述柵極包括：在襯底基板上形成柵極金屬薄膜；利用一次構圖工藝，將所述柵極金屬薄膜形成所述柵極。

可選的，在襯底基板上形成所述柵絕緣層包括：在襯底基板上形成柵絕緣薄膜。

可選的，在襯底基板上形成所述源漏極包括：在襯底基板上形成源漏極金屬薄膜；利用一次構圖工藝，將所述源漏極金屬薄膜形成所述源漏極。

可選的，形成所述氧化物半導體層的材料為銦鎵鋅氧化物。

可選的，形成所述柵極和/或源漏極的材料為鉬。

本發明實施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括：在襯底基板上設置薄膜晶體管的步驟，在襯底基板上設置像素電極的步驟，其中，在襯底基板上設置薄膜晶體管采用本發明實施例提供的任一種所述的薄膜晶體管的制作方法。

本發明實施例還提供了一種薄膜晶體管和陣列基板的制作方法，所述方法利用一次構圖工藝形成氧化物半導體層和阻擋層，相對于現有技術中分別利用一次構圖工藝形成氧化物半導體層和阻擋層，減少了構圖工藝的次數。

附圖說明

圖1為現有技術中一種陣列基板上像素單元俯視結構示意圖；