[發明專利]壓模式發光裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 201310019857.3
• 申請日: 2013-01-18
• 公開（公告）號: CN103715332A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 陳明煌
• 申請（專利權）人: 隆達電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/52
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

技術領域

本發明是有關于一種壓模式發光裝置及其制造方法，且特別是有關于一種具有階梯結構的壓模式發光裝置及其制造方法。

背景技術

傳統壓模式發光二極管制作完成后，需要在攝氏60度及90%濕度下進行信賴性實驗。然而，傳統壓模式發光二極管在經過信賴性試驗后，其封裝膠體的轉換效率受到破壞，導致在市場上的使用壽命降低。

發明內容

本發明的目的在于提一種壓模式發光裝置及其制造方法，可改善壓模式發光裝置在試驗后壽命降低的問題。

為達上述目的，本發明提出一種壓模式發光裝置。壓模式發光裝置包括一基板、一發光芯片、一封裝膠體及一保護層。基板具有一階梯結構環繞于基板的表面邊緣上。發光芯片設于基板上。封裝膠體包覆發光芯片，且具有一外側面。保護層位于階梯結構上且覆蓋封裝膠體的外側面。

根據本發明的另一實施例，提出一種壓模式發光裝置的制造方法。制造方法包括以下步驟。提供一基板；設置數個發光芯片于基板上；形成一封裝膠體包覆此些發光芯片；形成數個貫穿封裝膠體及基板的部分表面的切割道，使得各發光芯片周圍均被此些切割道環繞；在各切割道內分別形成一保護層；以及，在各切割道上施以一切割程序，以形成數個具有保護層的壓模式發光裝置。

為了對本發明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉實施例，并配合所附的附圖，作詳細說明如下：

附圖說明

圖1A為本發明一實施例的壓模式發光裝置的剖視圖；

圖1B為圖1A的俯視圖；

圖2A至圖2I為本發明一實施例的壓模式發光裝置的制造過程圖。

主要元件符號說明

100：壓模式發光裝置

110：基板

111：階梯結構

110u、130u、140u：上表面

110s1：第一外側面

110s2：第二外側面

112：第一電極

113：第二電極

114：電性隔離件

115：第一導線

116：第二導線

120：發光芯片

130：封裝膠體

130s、140s1：外側面

140、141：保護層

140'：保護層材料

140s2：內側面

150：網版

151：溝槽

H：熱量

P1、P2：切割道

具體實施方式

請參照圖1A，其繪示依照本發明一實施例的壓模式發光裝置的剖視圖。壓模式發光裝置100包括基板110、發光芯片120、封裝膠體130及保護層140。保護層140可保護封裝膠體130，減少或避免封裝膠體130經過信賴性試驗或其它試驗后受到過度的破壞，由此可提升產品壽命。以下詳細說明壓模式發光裝置100的元件。

基板110具有階梯結構111及上表面110u，其中階梯結構111環繞于基板110的上表面110u的邊緣上。此外，基板110的材料例如是金屬或陶瓷，本實施例以金屬基板為例說明。基板110包括第一電極112、第二電極113及電性隔離件114，電性隔離件114電性隔離第一電極112與第二電極113。

發光芯片120設于基板110的上表面110u上。第一導線115連接發光芯片120與第一電極112，而第二導線116連接發光芯片120與第一電極112。另一例中，發光芯片120可以是倒裝式芯片，在此設計下可省略第一導線115及第二導線116。

封裝膠體130包覆發光芯片120，且具有外側面130s及上表面130u。保護層140具有上表面140u，其與封裝膠體130的上表面130u實質上對齊，例如是共面。此外，封裝膠體130可含有波長轉換物質，此波長轉換物質可選自熒光粉、色素、顏料、其混合物或其它合適材料。