[發明專利]成膜裝置和成膜方法有效
| 申請號: | 201310016980.X | 申請日: | 2009-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN103088319A | 公開(公告)日: | 2013-05-08 |
| 發明(設計)人: | 加藤壽;竹內靖;牛窪繁博;菊地宏之 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/452 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 方法 | ||
1.一種成膜裝置,其通過在真空容器內將互相反應的至少兩種反應氣體按順序供給到基板的表面上并且執行該供給循環,從而層疊反應生成物的層而形成薄膜,該成膜裝置包括:
工作臺,其設置在上述真空容器內,用于載置基板;
第1反應氣體供給部件,用于將第1反應氣體供給到該工作臺上的基板上;
第2反應氣體供給部件,用于將第2反應氣體供給到該工作臺上的基板上;
活化部件,其為了進行上述基板上的反應生成物的改性而將被活化的處理氣體供給到上述基板上;
以及旋轉機構,用于使上述第1反應氣體供給部件、第2反應氣體供給部件以及活化部件與上述工作臺之間相對旋轉,
上述第1反應氣體供給部件、第2反應氣體供給部件和活化部件沿著工作臺的周向配置,使得通過上述相對旋轉,基板按順序處于第1反應氣體供給區域、第2反應氣體供給區域和被活化了的處理氣體的供給區域。
2.根據權利要求1所述的成膜裝置,
其包括:分離區域,其在上述相對旋轉的方向上位于上述第1反應氣體供給區域和第2反應氣體供給區域之間,用于分離上述第1反應氣體供給區域和第2反應氣體供給區域的氣氛;
以及排氣口,用于使上述反應氣體與擴散到上述分離區域的兩側的分離氣體排出,
上述分離區域包括:
分離氣體供給部件,用于供給分離氣體;
頂面,其位于該分離氣體供給部件的上述旋轉方向兩側,用于在頂面與工作臺之間形成用于分離氣體從該分離區域流動到處理區域側的狹窄的空間。
3.根據權利要求1所述的成膜裝置,
上述活化部件具有活化氣體注入裝置,該活化氣體注入裝置從上述基板的工作臺中心側的內緣部向工作臺外方側的外緣部延伸,在其長度方向上形成有氣體噴出口。
4.根據權利要求1所述的成膜裝置,其中
上述活化部件包括:
流路形成構件,其由分隔壁劃分成氣體活化用流路和氣體導入用流路;
氣體導入件,用于將處理氣體導入到上述氣體導入用流路中;
一對電極,其沿著上述分隔壁互相平行地延伸設置在上述氣體活化用流路內,施加有用于使處理氣體活化的電力;
連通孔,其沿著電極的長度方向設置在上述分隔壁上,用于將上述氣體導入用流路內的處理氣體供給到上述氣體活化用流路中;
以及氣體噴出口,其為了噴出在上述氣體活化用流路中被活化的氣體而沿著上述電極的長度方向設置在上述氣體活化用流路上。
5.根據權利要求4所述的成膜裝置,其中,
上述一對電極分別由陶瓷覆蓋。
6.根據權利要求4所述成膜裝置,其中,
具有氣體導入噴嘴,該氣體導入噴嘴沿著上述分隔壁設置在上述氣體導入用流路內,沿長度方向穿設有氣孔,并且上述氣體導入件形成在該氣體導入噴嘴的基端側。
7.根據權利要求1所述的成膜裝置,其中
上述活化部件包括:
流路形成構件,其由分隔壁劃分成氣體活化用流路和氣體導入用流路;
氣體導入件,用于將處理氣體導入到上述氣體導入用流路中;
加熱器,其沿著上述分隔壁延伸地設置在上述氣體活化用流路內,用于加熱氣體活化用流路內的處理氣體而使處理氣體活化;
連通孔,其沿著加熱器的長度方向設置在上述分隔壁上,用于將上述氣體導入用流路內的處理氣體供給到上述氣體活化用流路中;
以及氣體噴出口,其為了噴出在上述氣體活化用流路中被活化的氣體而沿著上述加熱器的長度方向設置在上述氣體活化用流路上。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東京毅力科創株式會社,未經東京毅力科創株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310016980.X/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種硬化劑及其制備方法
- 下一篇:電平移位電路、掃描電路、顯示裝置和電子設備
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





