[發(fā)明專利]一種大功率毫米波與太赫茲輻射源裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310015533.2
• 申請日: 2013-01-16
• 公開（公告）號: CN103094025A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設計）人: 鞏華榮;王斌;唐濤;宮玉彬
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01J23/24
• 分類號: H01J23/24;H01J23/027;H01J23/54
• 代理公司: 成都華典專利事務所(普通合伙) 51223
• 代理人: 徐豐;楊保剛

1.一種大功率毫米波與太赫茲輻射源裝置，其特征在于：包括第一低頻段慢波結(jié)構(gòu)、第二低頻段慢波結(jié)構(gòu)和高頻段慢波結(jié)構(gòu)，所述第一低頻段慢波結(jié)構(gòu)一端設有低頻信號接口和電子束接口，所述第二低頻段慢波結(jié)構(gòu)一端設有信號接口，所述高頻段慢波結(jié)構(gòu)設有輸出端口；所述第一低頻段慢波結(jié)構(gòu)與第二低頻段慢波結(jié)構(gòu)之間連接有第一漂移管，所述第二低頻段慢波結(jié)構(gòu)與高頻段慢波結(jié)構(gòu)之間連接有第二漂移管；輸入的電子束與低頻段毫米波或者太赫茲波在第一低頻段慢波結(jié)構(gòu)內(nèi)互作用，產(chǎn)生速度調(diào)制，在第一漂移管產(chǎn)生電子群聚，并形成了子能帶，攜帶子能帶的電子束進入第二低頻段慢波結(jié)構(gòu)，與輸入的低頻段毫米波或者太赫茲波再次進行速度調(diào)制，在第二漂移管區(qū)再一次產(chǎn)生電子群聚，產(chǎn)生密度調(diào)制，在此電子束電流內(nèi)激勵起高次諧波電流，群聚的電子束攜帶激勵電流信號進入高頻段慢波結(jié)構(gòu)，在此激勵起高次諧波的電磁波并被放大。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率毫米波與太赫茲輻射源裝置，其特征在于：所述第一低頻段慢波結(jié)構(gòu)另一端設有匹配負載端口。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率毫米波與太赫茲輻射源裝置，其特征在于：所述第二低頻段慢波結(jié)構(gòu)另一端設有匹配負載端口。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率毫米波與太赫茲輻射源裝置，其特征在于：所述高頻段慢波結(jié)構(gòu)設有匹配負載端口。

5.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4所述的大功率毫米波與太赫茲輻射源裝置，其特征在于：所述匹配負載端口連接有電磁波吸收裝置。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的大功率毫米波與太赫茲輻射源裝置，其特征在于：所述電磁波吸收裝置為集中衰減器，分布衰減器。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率毫米波與太赫茲輻射源裝置，其特征在于：所述第一低頻段慢波結(jié)構(gòu)、第二低頻段慢波結(jié)構(gòu)和高頻段慢波結(jié)構(gòu)為螺旋線、耦合腔或者折疊波導。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率毫米波與太赫茲輻射源裝置，其特征在于：所述第一低頻段慢波結(jié)構(gòu)的電子束接口的電子束通道形狀是圓形、方形或者橢圓形。

9.根據(jù)權(quán)利要求1、4或7所述的大功率毫米波與太赫茲輻射源裝置，其特征在于：所述高頻段慢波結(jié)構(gòu)設有收集極。