[發(fā)明專利]一種聚依萊鉻紅B修飾電極的制備方法及應用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310014607.0 | 申請日: | 2013-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN103091379A | 公開(公告)日: | 2013-05-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 周元臻;張海艷;劉婷 | 申請(專利權)人: | 西安建筑科技大學 |
| 主分類號: | G01N27/30 | 分類號: | G01N27/30 |
| 代理公司: | 西安恒泰知識產權代理事務所 61216 | 代理人: | 李婷 |
| 地址: | 710055*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 聚依萊鉻紅 修飾 電極 制備 方法 應用 | ||
1.一種聚依萊鉻紅B修飾電極的制備方法,其特征在于,該方法按照以下步驟進行:
首先,將裸的碳糊電極置于依萊鉻紅B溶液中,在-2.0V~2.0V電位范圍內循環(huán)掃描,使依萊鉻紅B在裸的碳糊電極上聚合成聚依萊鉻紅B,其次,將表面上聚合有聚依萊鉻紅B的電極放入磷酸鹽緩沖溶液中,在-0.4V~0.8V的電位窗口中循環(huán)伏安掃描至穩(wěn)定,取出,晾干,即制得聚依萊鉻紅B修飾電極。
2.如權利要求1所述的聚依萊鉻紅B修飾電極的制備方法,其特征在于,所述的依萊鉻紅B溶液的優(yōu)選濃度為0.2mmol/L。
3.如權利要求1所述的聚依萊鉻紅B修飾電極的制備方法,其特征在于,所述的依萊鉻紅B溶液在裸的碳糊電極上聚合時,優(yōu)選的掃描速度為100mV/s,循環(huán)掃描8圈。
4.如權利要求1所述的聚依萊鉻紅B修飾電極的制備方法,其特征在于,所述的裸的碳糊電極在依萊鉻紅B溶液中進行循環(huán)掃描后,采用二次蒸餾水淋洗其表面。
5.如權利要求1至4中任意一項權利要求所述的聚依萊鉻紅B修飾電極,其特征在于,該電極直接用于腎上腺素的電化學測定。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安建筑科技大學,未經西安建筑科技大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310014607.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





