[發明專利]深度磁場產生裝置有效
| 申請號： | 201310013641.6 | 申請日： | 2013-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN103654951B | 公開（公告）日： | 2017-03-01 |
| 發明（設計）人： | 戴政祺;黃世杰;林錫璋;陳建璋;尤崇智 | 申請（專利權）人： | 戴政祺;財團法人金屬工業研究發展中心 |
| 主分類號： | A61B18/18 | 分類號： | A61B18/18 |
| 代理公司： | 北京紀凱知識產權代理有限公司11245 | 代理人： | 趙蓉民 |
| 地址： | 中國臺灣臺南市東區70*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 深度 磁場 產生 裝置 | ||
1.一種深度磁場產生裝置，其特征在于，包括：
一第一線圈單元；以及
一第二線圈單元，與所述第一線圈單元連接，并水平環繞所述第一線圈單元。
2.根據權利要求1所述的深度磁場產生裝置，其特征在于，所述第二線圈單元的一直徑為所述第一線圈單元的一直徑的1.5倍至5倍之間。
3.根據權利要求1所述的深度磁場產生裝置，其特征在于，所述第一線圈單元與所述第二線圈單元各包括一線圈或相互連接的多個線圈。
4.根據權利要求3所述的深度磁場產生裝置，其特征在于，所述線圈相同或不相同。
5.根據權利要求1所述的深度磁場產生裝置，其特征在于，所述第一線圈單元與所述第二線圈單元各包括一單圈線圈、一多圈數匝同心圓線圈、一薄餅線圈、或其組合。
6.根據權利要求1所述的深度磁場產生裝置，其特征在于，還包括：
一磁場限制組件，其材質包括一低導磁材料，且所述第一線圈單元至少部分設置于所述磁場限制組件內，所述第二線圈單元繞設所述磁場限制組件。
7.根據權利要求6所述的深度磁場產生裝置，其特征在于，所述磁場限制組件包括一頂部及一環形部，所述環形部連接于所述頂部的一側，所述第一線圈單元設置于所述環形部內。
8.根據權利要求6所述的深度磁場產生裝置，其特征在于，還包括：
一磁場加強組件，設置于所述磁場限制組件內，且所述第一線圈單元至少部分繞設所述磁場加強組件。
9.根據權利要求8所述的深度磁場產生裝置，其特征在于，所述磁場加強組件的材質包括軟磁鐵氧體、鉬坡莫合金粉芯、高磁通量粉芯或其組合。
10.根據權利要求1所述的深度磁場產生裝置，其特征在于，還包括：
兩個電性接點，其中一電性接點與所述第一線圈單元連接，另一電性接點與所述第二線圈單元連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于戴政祺;財團法人金屬工業研究發展中心，未經戴政祺;財團法人金屬工業研究發展中心許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310013641.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種中懸窗
- 下一篇：一種電動窗戶自動開閉裝置
