[發明專利]基于免等離子工藝降低暗電流的光電探測器芯片制作方法有效
| 申請號： | 201310013303.2 | 申請日： | 2013-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN103078009A | 公開（公告）日： | 2013-05-01 |
| 發明（設計）人： | 張永剛;顧溢;李好斯白音 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海泰能知識產權代理事務所 31233 | 代理人： | 宋纓;孫健 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 等離子 工藝 降低 電流 光電 探測器 芯片 制作方法 | ||
1.一種基于免等離子工藝降低暗電流的光電探測器芯片制作方法，其特征在于，采用濕法刻蝕隔離成型工藝取代現有的化合物半導體光電探測器芯片加工中干法刻蝕隔離成型工藝；采用以雙苯基環丁烯鈍化工藝取代現有的化合物半導體光電光電探測器芯片加工中化學氣相沉積鈍化工藝。
2.根據權利要求1所述的基于免等離子工藝降低暗電流的光電探測器芯片制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）將生長好的外延片用光刻膠光刻工藝形成臺面圖形，并用濕法腐蝕工藝形成隔離臺面；
（2）在已形成的隔離臺面上涂覆以雙苯基環丁烯，經過前烘后直接光刻窗口圖形；
（3）用以雙苯基環丁烯顯影液在水浴下進行顯影，經后烘預固化后采用分步升溫方法進行以雙苯基環丁烯固化；
（4）采用光刻法形成電極圖形，用蒸發或濺射方法淀積金屬電極材料，剝離形成電極圖形；
（5）完成光電探測器芯片制作。
3.根據權利要求2所述的基于免等離子工藝降低暗電流的光電探測器芯片制作方法，其特征在于，所述步驟（1）中采用體積比為10:5:1:50的HBr、HCl、H2O2和H2O的混合溶液進行臺面腐蝕。
4.根據權利要求2所述的基于免等離子工藝降低暗電流的光電探測器芯片制作方法，其特征在于，所述步驟（1）中通過選擇腐蝕時間將腐蝕深度控制在探測器的光吸收層中部以下的位置。
5.根據權利要求2所述的基于免等離子工藝降低暗電流的光電探測器芯片制作方法，其特征在于，所述步驟（2）中涂覆的以雙苯基環丁烯為光敏以雙苯基環丁烯。
6.根據權利要求2所述的基于免等離子工藝降低暗電流的光電探測器芯片制作方法，其特征在于，所述步驟（2）中前烘的溫度為70℃。
7.根據權利要求2所述的基于免等離子工藝降低暗電流的光電探測器芯片制作方法，其特征在于，所述步驟（3）在40℃水浴下進行顯影。
8.根據權利要求1所述的基于免等離子工藝降低暗電流的光電探測器芯片制作方法，其特征在于，所述步驟（3）中后烘的溫度為80℃。
9.根據權利要求2所述的基于免等離子工藝降低暗電流的光電探測器芯片制作方法，其特征在于，所述步驟（3）中采用分步升溫方法進行以雙苯基環丁烯固化時，當溫度達到210℃后維持60min再自然降溫。
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
