[發(fā)明專利]氮化物發(fā)光二極管及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310010488.1
• 申請日: 2013-01-11
• 公開（公告）號: CN103094440A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林文禹;葉孟欣;林科闖
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.氮化物發(fā)光二極管，包含N型傳導(dǎo)層，P型傳導(dǎo)層，在N型傳導(dǎo)層和P型傳導(dǎo)層之間具有發(fā)光層；至少在N型傳導(dǎo)層或P型傳導(dǎo)層內(nèi)包含一層電流注入調(diào)制層，其由具有開孔結(jié)構(gòu)的氮化物絕緣材料層構(gòu)成，所述開孔結(jié)構(gòu)通過在外延生長的反應(yīng)爐內(nèi)通入H₂蝕刻而成，用于電流傳導(dǎo)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述電流注入調(diào)制層的材料為未摻雜的In_xAl_yGa_1-x-yN，其中0≦x≦0.1，0≦y≦1，0≦x+y≦1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物發(fā)光二極管，其特征在于：所述電流注入調(diào)制層的開孔結(jié)構(gòu)為隨機(jī)離散分布。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氮化物發(fā)光二極管，其特征在于：所述電流注入調(diào)制層的開孔結(jié)構(gòu)位于所述氮化物絕緣材料層中晶格較差的區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物發(fā)光二極管，其特征在于：所述電流注入調(diào)制層開孔結(jié)構(gòu)的分布密度為1x10⁴?~?1x10⁸?cm^-2。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物發(fā)光二極管，其特征在于：所述電流注入調(diào)制層的下表面距離P型傳導(dǎo)層的下表面的距離為50nm~200nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物發(fā)光二極管，其特征在于：所述電流注入調(diào)制層的厚度為50nm?~?200nm。

8.氮化物發(fā)光二極管的制作方法，通過外延生長方法沉積N型傳導(dǎo)層，發(fā)光層和P型傳導(dǎo)層，其特征在于：至少在N型傳導(dǎo)層或P型傳導(dǎo)層內(nèi)形成一層電流注入調(diào)制層，其由具有開孔結(jié)構(gòu)的氮化物絕緣材料層構(gòu)成，所述開孔通過在外延生長的反應(yīng)爐內(nèi)通入H₂蝕刻而成，用于傳導(dǎo)電流。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氮化物發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述電流注入調(diào)制層的材料為未摻雜的In_xAl_yGa_1-x-yN?，其中0≦x≦0.1，0≦y≦1，0≦x+y≦1。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氮化物發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述電流注入調(diào)制層通過下面方法形成：

外延生長N型傳導(dǎo)層或P型傳導(dǎo)層；

在N型傳導(dǎo)層或P型傳導(dǎo)層上沉積氮化物絕緣材料層；

在外延生長的反應(yīng)爐內(nèi)通入H₂蝕刻所述氮化物絕緣材料層直至露出部分N型傳導(dǎo)層或P型傳導(dǎo)層形成開口結(jié)構(gòu)，用于電流傳導(dǎo)；

繼續(xù)外延生長N型傳導(dǎo)層或P型傳導(dǎo)層，從而在N型傳導(dǎo)層或P型傳導(dǎo)層內(nèi)形成電流注入調(diào)制層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的氮化物發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述H₂氣氛的濃度為H₂/NH₃?=?2.5~10。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的氮化物發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述H₂蝕刻的溫度為900℃~1200?℃。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的氮化物發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述H₂蝕刻所述氮化物絕緣材料層中晶格較差的部位形成開口結(jié)構(gòu)。