[發明專利]一種釹鐵硼永磁體表面復合涂層的制備方法

無效

• 申請號: 201310009314.3
• 申請日: 2013-01-10
• 公開（公告）號: CN103060803A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 王志華
• 申請（專利權）人: 西安科技大學
• 主分類號: C23C28/00
• 分類號: C23C28/00;C23C22/05;C23C18/36
• 代理公司: 西安創知專利事務所 61213
• 代理人: 譚文琰

1.一種釹鐵硼永磁體表面復合涂層的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

步驟一、將釹鐵硼永磁體進行表面預處理：

步驟101、將釹鐵硼永磁體進行打磨處理；

步驟102、將步驟101中經打磨處理后的釹鐵硼永磁體置于盛裝有除油液的超聲波清洗器中進行超聲波輔助除油處理；

步驟103、將步驟102中經超聲波輔助除油處理后的釹鐵硼永磁體置于盛裝有除銹液的超聲波清洗器中進行超聲波輔助除銹處理；

步驟104、將步驟103中經超聲波輔助除銹處理后的釹鐵硼永磁體置于煮沸的去離子水中進行第一階段封孔處理；所述第一階段封孔處理的時間為20min～25min；

步驟二、將步驟一中經表面預處理后的釹鐵硼永磁體置于轉化處理液中進行轉化處理，在釹鐵硼永磁體的表面得到釔轉化膜；所述轉化處理液由硝酸釔、雙氧水和去離子水混合配制而成，其中硝酸釔的濃度為2g/L～10g/L，雙氧水的濃度為5mL/L～12mL/L，所述雙氧水中過氧化氫的質量百分含量為30%～50%；所述轉化處理的溫度為20℃～40℃，所述轉化處理的時間為10min～30min；

步驟三、將步驟二中經轉化處理后的釹鐵硼永磁體置于封孔液中進行第二階段封孔處理；所述第二階段封孔處理的時間為20min～40min；

步驟四、將步驟三中經第二階段封孔處理后的釹鐵硼永磁體置于活化液中進行活化處理；所述活化處理的時間為5s～10s；

步驟五、將步驟四中經活化處理后的釹鐵硼永磁體置于化學鍍液中進行化學鍍處理，最終在釹鐵硼永磁體表面得到釔/鎳釔磷復合涂層；所述化學鍍液由硫酸鎳、次亞磷酸鈉、檸檬酸鈉、無水乙酸鈉、硫酸釔、硫脲和去離子水混合配制而成，其中硫酸鎳的濃度為30g/L～50g/L，次亞磷酸鈉的濃度為5g/L～10g/L，檸檬酸鈉的濃度為10g/L～20g/L，無水乙酸鈉的濃度為15g/L～25g/L，硫酸釔的濃度為80mg/L～100mg/L，硫脲的濃度為0.1g/L～0.2g/L；所述化學鍍處理的溫度為85℃～88℃，所述化學鍍處理的時間為30min～100min。

2.根據權利要求1所述的一種釹鐵硼永磁體表面復合涂層的制備方法，其特征在于，步驟101中所述打磨處理的具體工藝為：依次采用400#、600#、800#、1000#和1200#砂紙對所述釹鐵硼永磁體進行打磨。

3.根據權利要求1所述的一種釹鐵硼永磁體表面復合涂層的制備方法，其特征在于，步驟102中所述除油液由氫氧化鈉、碳酸鈉、焦磷酸鈉、OP-10和去離子水混合配制而成，其中氫氧化鈉的濃度為10g/L～15g/L，碳酸鈉的濃度為45g/L～50g/L，焦磷酸鈉的濃度為55g/L～65g/L，OP-10的濃度為1mL/L～2mL/L。

4.根據權利要求1所述的一種釹鐵硼永磁體表面復合涂層的制備方法，其特征在于，步驟102中所述超聲波輔助除油處理的溫度為70℃～80℃，所述超聲波輔助除油處理的時間為1min～5min。

5.根據權利要求1所述的一種釹鐵硼永磁體表面復合涂層的制備方法，其特征在于，步驟103中所述除銹液由硝酸、硫脲和去離子水混合配制而成，其中硝酸的濃度為20mL/L～25mL/L，硫脲的濃度為0.1g/L～0.2g/L；所述硝酸中HNO₃的質量百分含量為65%～68%。

6.根據權利要求1所述的一種釹鐵硼永磁體表面復合涂層的制備方法，其特征在于，步驟103中所述超聲波輔助除銹處理的溫度為20℃～50℃，所述超聲波輔助除銹處理的時間為40s～60s。

7.根據權利要求1所述的一種釹鐵硼永磁體表面復合涂層的制備方法，其特征在于，步驟三中所述封孔液由硅酸鈉、氫氧化鈉和去離子水混合配制而成，其中硅酸鈉的濃度為18g/L～22g/L，氫氧化鈉的濃度為25g/L～30g/L。

8.根據權利要求1所述的一種釹鐵硼永磁體表面復合涂層的制備方法，其特征在于，步驟四中所述活化液為質量百分比濃度為5%～10%的鹽酸。

9.根據權利要求1所述的一種釹鐵硼永磁體表面復合涂層的制備方法，其特征在于，步驟五中所述化學鍍液的pH值為4.5～5.5。

10.根據權利要求1所述的一種釹鐵硼永磁體表面復合涂層的制備方法，其特征在于，步驟五中所述釔/鎳釔磷復合涂層的厚度為12μm～38μm。